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25LC080T/SNA63

更新时间: 2024-11-10 05:21:31
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 393K
描述
1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8

25LC080T/SNA63 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.43
其他特性:DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES最大时钟频率 (fCLK):2 MHz
数据保留时间-最小值:200耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:8
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified串行总线类型:SPI
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最长写入周期时间 (tWC):5 ms

25LC080T/SNA63 数据手册

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