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Datasheet > 存储 > EEPROM> 25LC080D-E/P
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25LC080D-E/P

更新时间： 2024-11-18 06:23:47
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
28页 463K
描述
8K SPI Bus Serial EEPROM

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25LC080D-E/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：5.64最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
长度：9.271 mm内存密度：8192 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：1024 words字数代码：1000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.334 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE宽度：7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE

25LC080D-E/P 数据手册

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25AA080C/D, 25LC080C/D  
8K SPI Bus Serial EEPROM  
Device Selection Table  
Part Number  
VCC Range  
Page Size  
Temp. Ranges  
Packages  
25LC080C  
25AA080C  
25LC080D  
25AA080D  
2.5-5.5V  
1.8-5.5V  
2.5-5.5V  
1.8-5.5V  
16 Byte  
16 Byte  
32 Byte  
32 Byte  
I, E  
P, SN, ST, MS, MN  
P, SN, ST, MS, MN  
P, SN, ST, MS, MN  
P, SN, ST, MS, MN  
I
I, E  
I
Features  
Description  
• Max. Clock 10 MHz  
The Microchip Technology Inc. 25AA080C/D,  
25LC080C/D (25XX080C/D*) are  
Kbit Serial  
Electrically Erasable PROMs. The memory is accessed  
via simple Serial Peripheral Interface (SPI)  
compatible serial bus. The bus signals required are a  
clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data  
out (SO) lines. Access to the device is controlled  
through a Chip Select (CS) input.  
8
• Low-Power CMOS Technology:  
- Max. write current: 5 mA at 5.5V  
- Read current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Standby current: 5 μA at 5.5V  
• 1024 x 8-bit Organization  
a
• 16 Byte Page (‘C’ version devices)  
• 32 Byte Page (‘D’ version devices)  
• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)  
• Block Write Protection:  
Communication to the device can be paused via the  
hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-  
tions on its inputs will be ignored, with the exception of  
Chip Select, allowing the host to service higher priority  
interrupts.  
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array  
• Built-In Write Protection:  
The 25XX080C/D is available in standard packages  
including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced  
packaging including 8-lead MSOP, TSSOP, and 2x3  
TDFN. All packages are Pb-free and RoHS compliant.  
- Power-on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
- Write-protect pin  
• Sequential Read  
• High Reliability:  
Package Types (not to scale)  
- Endurance: > 1M erase/write cycles  
- Data retention: > 200 years  
- ESD protection: > 4000V  
TSSOP/MSOP  
(ST, MS)  
PDIP/SOIC  
(P, SN)  
1
2
3
4
8
7
6
5
CS  
SO  
WP  
V
CC  
CS  
SO  
WP  
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
• Pb-Free and RoHS Compliant  
• Temperature Ranges Supported:  
HOLD  
SCK  
SI  
HOLD  
SCK  
SI  
V
SS  
- Industrial (I):  
- Automotive (E):  
-40°C to +85°C  
-40°C to +125°C  
VSS  
TDFN  
(MN)  
1
CS  
SO  
8
7
6
5
VCC  
HOLD  
SCK  
SI  
2
3
4
WP  
VSS  
*25XX080C/D is used in this document as a generic part  
number for the 25AA080C/D, 25LC080C/D.  
© 2009 Microchip Technology Inc.  
DS22151A-page 1  
1234567...28

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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