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25LC080C-I/MNY

更新时间： 2024-11-06 06:23:47

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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28页	463K
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8K SPI Bus Serial EEPROM

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25LC080C-I/MNY 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, PLASTIC, TDFN-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.46
最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
JESD-609代码：	e4	长度：	3 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装等效代码：	SOLCC8,.11,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.8 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

25LC080C-I/MNY 数据手册

25AA080C/D, 25LC080C/D

8K SPI Bus Serial EEPROM

Device Selection Table

Part Number

VCC Range

Page Size

Temp. Ranges

Packages

25LC080C

25AA080C

25LC080D

25AA080D

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

16 Byte

32 Byte

I, E

P, SN, ST, MS, MN

I, E

Features

Description

• Max. Clock 10 MHz

The Microchip Technology Inc. 25AA080C/D,

25LC080C/D (25XX080C/D^*) are

Kbit Serial

Electrically Erasable PROMs. The memory is accessed

via simple Serial Peripheral Interface (SPI)

compatible serial bus. The bus signals required are a

clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data

out (SO) lines. Access to the device is controlled

through a Chip Select (CS) input.

• Low-Power CMOS Technology:

- Max. write current: 5 mA at 5.5V

- Read current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz

- Standby current: 5 μA at 5.5V

• 1024 x 8-bit Organization

• 16 Byte Page (‘C’ version devices)

• 32 Byte Page (‘D’ version devices)

• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)

• Block Write Protection:

Communication to the device can be paused via the

hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-

tions on its inputs will be ignored, with the exception of

Chip Select, allowing the host to service higher priority

interrupts.

- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array

• Built-In Write Protection:

The 25XX080C/D is available in standard packages

including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced

packaging including 8-lead MSOP, TSSOP, and 2x3

TDFN. All packages are Pb-free and RoHS compliant.

- Power-on/off data protection circuitry

- Write enable latch

- Write-protect pin

• Sequential Read

• High Reliability:

Package Types (not to scale)

- Endurance: > 1M erase/write cycles

- Data retention: > 200 years

- ESD protection: > 4000V

TSSOP/MSOP

(ST, MS)

PDIP/SOIC

(P, SN)

VCC

• Pb-Free and RoHS Compliant

• Temperature Ranges Supported:

HOLD

SCK

HOLD

SCK

- Industrial (I):

- Automotive (E):

-40°C to +85°C

-40°C to +125°C

VSS

TDFN

(MN)

VCC

HOLD

SCK

VSS

*25XX080C/D is used in this document as a generic part

number for the 25AA080C/D, 25LC080C/D.

DS22151A-page 1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
25LC080C-I/SN	MICROCHIP	功能相似	8K SPI Bus Serial EEPROM
25LC080D-I/SN	MICROCHIP	功能相似	8K SPI Bus Serial EEPROM

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25LC080C-I/P	MICROCHIP	获取价格	8K SPI Bus Serial EEPROM
25LC080C-I/SN	MICROCHIP	获取价格	8K SPI Bus Serial EEPROM
25LC080C-I/ST	MICROCHIP	获取价格	8K SPI Bus Serial EEPROM
25LC080CT-E/MNY	MICROCHIP	获取价格	8K SPI Bus Serial EEPROM
25LC080CT-E/MS	MICROCHIP	获取价格	8K SPI Bus Serial EEPROM
25LC080CT-E/P	MICROCHIP	获取价格	8K SPI Bus Serial EEPROM
25LC080CT-E/SN	MICROCHIP	获取价格	8K SPI Bus Serial EEPROM
25LC080CT-E/SN16KVAO	MICROCHIP	获取价格	EEPROM, 1KX8, Serial, CMOS, PDSO8
25LC080CT-E/ST	MICROCHIP	获取价格	8K SPI Bus Serial EEPROM

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