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Datasheet > 存储 > EEPROM> 25LC040AT-E/MNY
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25LC040AT-E/MNY

更新时间： 2024-11-20 13:03:59
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 188K
描述
512 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8

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25LC040AT-E/MNY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DFN包装说明：2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：5.66
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e4长度：3 mm
内存密度：4096 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：512 words字数代码：512
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装等效代码：SOLCC8,.11,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.8 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

25LC040AT-E/MNY 数据手册

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25AA040/25LC040/25C040  
M
™
4K SPI Bus Serial EEPROM  
PACKAGE TYPES  
DEVICE SELECTION TABLE  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max Clock  
Frequency  
Temp  
Ranges  
PDIP/SOIC  
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC  
HOLD  
SCK  
SI  
CS  
SO  
25AA040  
25LC040  
25C040  
1.8-5.5V  
2.5-5.5V  
4.5-5.5V  
1 MHz  
2 MHz  
3 MHz  
C,I  
C,I  
C,I,E  
WP  
VSS  
FEATURES  
• Low power CMOS technology  
- Write current: 3 mA typical  
- Read current: 500 µA typical  
- Standby current: 500 nA typical  
• 512 x 8 bit organization  
TSSOP  
1
2
3
4
8
7
6
5
SCK  
SI  
VSS  
WP  
HOLD  
VCC  
CS  
• 16 byte page  
• Write cycle time: 5ms max.  
• Self-timed ERASE and WRITE cycles  
• Block write protection  
SO  
- Protect none, 1/4, 1/2, or all of array  
• Built-in write protection  
- Power on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
BLOCK DIAGRAM  
Status  
Register  
- Write protect pin  
• Sequential read  
HV Generator  
• High reliability  
- Endurance: 10M cycles (guaranteed)  
- Data retention: > 200 years  
- ESD protection: > 4000 V  
• 8-pin PDIP, SOIC, and TSSOP packages  
• Temperature ranges supported:  
EEPROM  
Array  
Memory  
Control  
Logic  
X
I/O Control  
Logic  
- Commercial: (C)  
- Industrial: (I)  
0°C to +70°C  
-40°C to +85°C  
-40°C to +125°C  
Dec  
- Automotive: (E) (25C040)  
Page Latches  
DESCRIPTION  
SI  
The Microchip Technology Inc. 25AA040/25LC040/  
25C040 (25xx040 ) is a 4K bit serial Electrically Eras-  
*
Y Decoder  
SO  
able PROM. The memory is accessed via a simple  
Serial Peripheral Interface (SPI) compatible serial bus.  
The bus signals required are a clock input (SCK) plus  
separate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to  
the device is controlled through a chip select (CS) input.  
CS  
SCK  
Sense Amp.  
R/W Control  
HOLD  
WP  
VCC  
VSS  
Communication to the device can be paused via the  
hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-  
tions on its inputs will be ignored, with the exception of  
chip select, allowing the host to service higher priority  
interrupts. Also, write operations to the device can be  
disabled via the write protect pin (WP).  
*25xx040 is used in this document as a generic part number for the 25AA040/25LC040/25C040 devices.  
SPI is a trademark of Motorola.  
1997 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS21204A-page 1  
1234567...12

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