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25LC020AT-E/MNY

更新时间： 2024-11-24 13:03:59
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
28页 467K
描述
256 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8

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25LC020AT-E/MNY 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DFN包装说明：HVSON, SOLCC8,.11,20
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
Factory Lead Time：5 weeks风险等级：5.55
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e4长度：3 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装等效代码：SOLCC8,.11,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.8 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

25LC020AT-E/MNY 数据手册

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25AA020A/25LC020A  
2K SPI Bus Serial EEPROM  
Device Selection Table  
Part Number  
VCC Range  
Page Size  
Temp. Ranges  
Packages  
25AA020A  
25LC020A  
1.8-5.5V  
2.5-5.5V  
16 Bytes  
16 Bytes  
I
P, MS, SN, ST, MC, OT  
P, MS, SN, ST, MC, OT  
I, E  
Features:  
Description:  
• 10 MHz max. clock frequency  
• Low-power CMOS technology:  
- Max. Write Current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Read Current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Standby Current: 5 μA at 5.5V  
• 256 x 8-bit organization  
The Microchip Technology Inc. 25XX020A* is a 2 Kbit  
Serial Electrically Erasable Programmable Read-Only  
Memory (EEPROM). The memory is accessed via a  
simple Serial Peripheral Interface™ (SPI) compatible  
serial bus. The bus signals required are a clock input  
(SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO)  
lines. Access to the device is controlled through a Chip  
Select (CS) input.  
• Write Page mode (up to 16 bytes)  
• Sequential Read  
Communication to the device can be paused via the  
hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-  
tions on its inputs will be ignored, with the exception of  
Chip Select, allowing the host to service higher priority  
interrupts.  
• Self-timed Erase and Write cycles (5 ms max.)  
• Block Write protection:  
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array  
• Built-in Write protection:  
The 25XX020A is available in standard packages  
including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced  
packages including 8-lead MSOP, 8-lead TSSOP and  
rotated TSSOP, 8-lead 2x3 DFN, and 6-lead SOT-23.  
- Power-on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
- Write-protect pin  
• High reliability:  
Package Types (not to scale)  
- Endurance: 1,000,000 Erase/Write cycles  
- Data retention: > 200 years  
- ESD protection: > 4000V  
PDIP/SOIC  
TSSOP/MSOP  
(P, SN)  
(ST, MS)  
CS  
SO  
WP  
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
1
2
3
4
8
7
6
5
CS  
SO  
WP  
V
CC  
• Temperature ranges supported:  
- Industrial (I):  
- Automotive (E):  
HOLD  
SCK  
SI  
HOLD  
SCK  
SI  
-40°C to +85°C  
-40°C to +125°C  
VSS  
VSS  
• Pb-Free packages available  
DFN  
(MC)  
SOT-23  
(OT)  
Pin Function Table  
V
CC  
1
1
2
3
6
5
4
8
CS  
SO  
SCK  
V
DD  
Name  
Function  
Chip Select Input  
2
3
4
7
6
5
HOLD  
SCK  
SI  
VSS  
CS  
SO  
CS  
SO  
SI  
WP  
VSS  
Serial Data Output  
Write-Protect  
Ground  
WP  
X-Rotated TSSOP  
VSS  
SI  
(X/ST)  
1
2
3
4
8
7
6
5
Serial Data Input  
Serial Clock Input  
Hold Input  
HOLD  
SCK  
SI  
VSS  
VCC  
SCK  
HOLD  
VCC  
CS  
SO  
WP  
Supply Voltage  
*25XX020A is used in this document as a generic part number for the  
25AA020A and the 25LC020A.  
© 2006 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS21833C-page 1  
1234567...28

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