是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MSOP |
包装说明: | TSSOP, TSSOP8,.19 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | Factory Lead Time: | 17 weeks |
风险等级: | 5.41 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES | 最大时钟频率 (fCLK): | 10 MHz |
数据保留时间-最小值: | 200 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | S-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 3 mm | 内存密度: | 2048 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256X8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP8,.19 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.1 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.000001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.005 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 3 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
25LC020AT-E/MS | MICROCHIP |
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EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8 | |
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1K-4K SPI Serial EEPROM High Temp Family Data Sheet | |
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