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25LC010AT-E/MS

更新时间： 2024-11-24 02:56:03
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
28页 469K
描述
1K SPI Bus Serial EEPROM

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25LC010AT-E/MS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MSOP
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.44
其他特性：DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：S-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：3 mm内存密度：1024 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.19
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.005 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

25LC010AT-E/MS 数据手册

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25AA010A/25LC010A  
1K SPI Bus Serial EEPROM  
Device Selection Table  
Part Number  
VCC Range  
Page Size  
Temp. Ranges  
Packages  
25AA010A  
25LC010A  
1.8-5.5V  
2.5-5.5V  
16 Bytes  
16 Bytes  
I
P, MS, SN, ST, MC, OT  
P, MS, SN, ST, MC, OT  
I, E  
Features:  
Description:  
• 10 MHz max. clock frequency  
• Low-power CMOS technology:  
- Max. Write Current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Read Current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Standby Current: 5 μA at 5.5V  
• 128 x 8-bit organization  
The Microchip Technology Inc. 25XX010A* is a 1 Kbit  
Serial Electrically Erasable Programmable Read-Only  
Memory (EEPROM). The memory is accessed via a  
simple Serial Peripheral Interface™ (SPI) compatible  
serial bus. The bus signals required are a clock input  
(SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO)  
lines. Access to the device is controlled through a Chip  
Select (CS) input.  
• Write Page mode (up to 16 bytes)  
• Sequential Read  
Communication to the device can be paused via the  
hold pin (HOLD). While the device is paused,  
transitions on its inputs will be ignored, with the  
exception of Chip Select, allowing the host to service  
higher priority interrupts.  
• Self-timed Erase and Write cycles (5 ms max.)  
• Block Write protection:  
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array  
• Built-in Write protection:  
The 25XX010A is available in standard packages  
including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced  
packages including 8-lead MSOP, 8-lead TSSOP and  
rotated TSSOP, 8-lead 2x3 DFN, and 6-lead SOT-23.  
- Power-on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
- Write-protect pin  
• High reliability:  
- Endurance: 1,000,000 Erase/Write cycles  
- Data retention: > 200 years  
- ESD protection: > 4000V  
Package Types (not to scale)  
TSSOP/MSOP  
PDIP/SOIC  
(P, SN)  
(ST, MS)  
• Temperature ranges supported:  
- Industrial (I):  
- Automotive (E):  
CS  
SO  
WP  
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
CS  
SO  
WP  
V
CC  
-40°C to +85°C  
-40°C to +125°C  
HOLD  
SCK  
SI  
HOLD  
SCK  
SI  
VSS  
• Pb-Free packages available  
VSS  
DFN  
Pin Function Table  
SOT-23  
(MC)  
(OT)  
Name  
Function  
Chip Select Input  
V
CC  
HOLD  
SCK  
SI  
1
8
1
2
3
6
5
4
CS  
SO  
SCK  
V
DD  
2
3
4
7
6
5
CS  
SO  
VSS  
CS  
SO  
WP  
SI  
Serial Data Output  
Write-Protect  
Ground  
VSS  
WP  
X-Rotated TSSOP  
VSS  
SI  
(X/ST)  
Serial Data Input  
Serial Clock Input  
Hold Input  
1
2
3
4
8
7
6
5
HOLD  
SCK  
SI  
VSS  
WP  
VCC  
SCK  
HOLD  
VCC  
CS  
SO  
Supply Voltage  
*25XX010A is used in this document as a generic part number for the  
25AA010A and the 25LC010A.  
© 2006 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS21832C-page 1  
1234567...28

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25LC010AT-E/MS 替代型号

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