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25F40

更新时间： 2024-02-13 15:50:36

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NAINA		二极管
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2页	110K
描述
Standard Recovery Diodes (Stud Version)

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25F40 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-4
包装说明：	O-MUPM-D1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.74
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.9 V
JEDEC-95代码：	DO-203AA	JESD-30 代码：	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：	373 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

25F40 数据手册

25NS(R)

Naina Semiconductor Ltd.

Standard Recovery Diodes (Stud Version)

Features

•

Diffused Series

Industrial grade

Available in Normal and Reverse polarity

Metric and UNF thread type

Electrical Specifications (T_E= 25⁰C, unless otherwise noted)

Symbol

Parameters

Values Units

Maximum avg. forward current @ T_E=

150^OC

I_F(AV)

Maximum peak forward voltage drop

@ rated I_F(AV)

V_FM

I_FSM

I_FRM

I²t

1.3

Maximum peak one cycle (non-rep)

surge current @ 10 msec

400

150

800

Maximum peak repetitive surge

current

Maximum I²t rating (non-rep) for 5 to

DO-203AB (DO-5)

A²sec

10 msec

Electrical Ratings (T_E= 25⁰C, unless otherwise noted)

_RRM,Maximum

V_R(RMS),Maximum

_R(AV),Maximum

avg. reverse

V_R,Maximum

DC blocking

voltage

Recommended RMS

working voltage

(V)

repetitive peak

reverse voltage

(V)

RMS reverse

voltage

(V)

Type

number

Voltage

Code

leakage current

(µA)

(V)

100

200

140

280

420

560

700

840

980

1120

100

200

400

160

240

320

400

480

560

640

600

25NS(R)

800

150

100

120

140

160

1000

1200

1400

1600

1000

1200

1400

1600

D-95, Sector 63, Noida – 201301, India

•

Tel: 0120-4205450

•

Fax: 0120-4273653

sales@nainasemi.com

•

www.nainasemi.com

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