Datasheet > 存储 > EEPROM> 25C080-E/P

25C080-E/P

更新时间： 2024-11-24 02:56:03

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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描述
8K SPI TM Bus Serial EEPROM

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25C080-E/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	3 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	10000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e3	长度：	9.46 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.32 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

25C080-E/P 数据手册

Not recommended for new designs –

Please use 25AA080A/B or 25LC080A/B.

25AA080/25LC080/25C080

8K SPI^™Bus Serial EEPROM

Device Selection Table

Description:

The Microchip Technology Inc. 25AA080/25LC080/

Part

Number

VCC

Range

Max. Clock

Frequency

Temp.

Ranges

25C080 (25XX080^*) are 8 Kbit Serial Electrically

Erasable PROMs. The memory is accessed via a

simple Serial Peripheral Interface™ (SPI™) compati-

ble serial bus. The bus signals required are a clock

input (SCK) plus separate data in (SI) and data out

(SO) lines. Access to the device is controlled through a

Chip Select (CS) input.

25AA080

25LC080

25C080

1.8-5.5V

2.5-5.5V

4.5-5.5V

1 MHz

2 MHz

3 MHz

I,E

Features:

Communication to the device can be paused via the

hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-

tions on its inputs will be ignored, with the exception of

chip select, allowing the host to service higher priority

interrupts.

• Low-power CMOS technology:

- Write current: 3 mA maximum

- Read current: 500 µA typical

- Standby current: 500 nA typical

• 1024 x 8-bit organization

• 16 byte page

Package Types

• Write cycle time: 5 ms max.

• Self-timed erase and write cycles

• Block write protection:

PDIP/SOIC

VCC

VSS

HOLD

SCK

- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array

• Built-in write protection:

- Power-on/off data protection circuitry

- Write enable latch

- Write-protect pin

• Sequential read

Block Diagram

• High reliability:

Status

HV Generator

- Endurance: 1 M cycles

- Data retention: > 200 years

- ESD protection: > 4000V

• 8-pin PDIP and SOIC (150 mil)

• Temperature ranges supported:

- Industrial (I):

- Automotive (E) (25C080):

EEPROM

Array

Memory

Control

Logic

-40°C to +85°C

-40°C to +125°C

I/O Control

Logic

Dec

Page Latches

Y Decoder

SCK

Sense Amp.

R/W Control

HOLD

VCC

VSS

*25XX080 is used in this document as a generic part number for the

25AA080/25LC080/25C080 devices.

SPI™ is a trademark of Motorola Inc.

 2004 Microchip Technology Inc.

DS21230D-page 1

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
25C080E/SN	ETC	获取价格	SPI Serial EEPROM
25C080-E/SN	MICROCHIP	获取价格	8K SPI TM Bus Serial EEPROM
25C080-E/SNC23	MICROCHIP	获取价格	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
25C080-E/SNC77	MICROCHIP	获取价格	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, MS-012, SOIC-8
25C080-I/P	MICROCHIP	获取价格	8K SPI TM Bus Serial EEPROM
25C080-I/SN	MICROCHIP	获取价格	8K SPI TM Bus Serial EEPROM
25C080P	MICROCHIP	获取价格	暂无描述
25C080T/SN	ETC	获取价格	SPI Serial EEPROM
25C080T/SNC63	MICROCHIP	获取价格	1K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
25C080T-E	MICROCHIP	获取价格	8K SPI Bus Serial EEPROM

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