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Datasheet > 存储 > EEPROM> 25AA640A-I/ST
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25AA640A-I/ST

更新时间： 2024-11-24 06:24:15
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
30页 510K
描述
64K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA640A-I/ST 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：4.40 MM, PLASTIC, TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.35最大时钟频率 (fCLK)：10 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.4 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.005 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWARE

25AA640A-I/ST 数据手册

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25AA640A/25LC640A  
64K SPI Bus Serial EEPROM  
Device Selection Table  
Part Number  
VCC Range  
Page Size  
Temp. Ranges  
Packages  
25LC640A  
25AA640A  
2.5-5.5V  
1.8-5.5V  
32 Byte  
32 Byte  
I,E  
I
P, SN, ST, MS, MF, MNY  
P, SN, ST, MS, MF, MNY  
Features:  
Description:  
• Max. Clock 10 MHz  
The Microchip Technology Inc. 25AA640A/25LC640A  
(25XX640A*) are 64 kbit Serial Electrically Erasable  
PROMs. The memory is accessed via a simple Serial  
Peripheral Interface (SPI) compatible serial bus. The  
bus signals required are a clock input (SCK) plus sep-  
arate data in (SI) and data out (SO) lines. Access to the  
device is controlled through a Chip Select (CS) input.  
• Low-Power CMOS Technology  
- Max. Write Current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Read Current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Standby Current: 1 μA at 5.5V  
• 8192 x 8-bit Organization  
• 32 Byte Page  
Communication to the device can be paused via the  
hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-  
tions on its inputs will be ignored, with the exception of  
Chip Select, allowing the host to service higher priority  
interrupts.  
• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)  
• Block Write Protection  
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array  
• Built-In Write Protection  
The 25XX640A is available in standard packages  
including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced  
packaging including 8-lead MSOP, 8-lead TSSOP, DFN  
and TDFN.  
- Power-on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
- Write-protect pin  
• Sequential Read  
• High Reliability  
Package Types (not to scale)  
- Endurance: 1,000,000 erase/write cycles  
- Data retention: > 200 years  
- ESD protection: > 4000V  
• Temperature Ranges Supported:  
PDIP/SOIC  
(P, SN)  
TSSOP/MSOP  
(ST, MS)  
1
2
3
4
8
7
6
5
CS  
SO  
WP  
V
CC  
CS  
SO  
WP  
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC  
HOLD  
SCK  
SI  
HOLD  
SCK  
SI  
- Industrial (I):  
-40°C to +85°C  
VSS  
- Automotive (E):  
-40°C to +125°C  
VSS  
DFN/TDFN  
(MF/MNY)  
X-Rotated TSSOP  
(X/ST)  
1
CS  
SO  
8
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
HOLD  
SCK  
SI  
2
3
4
7
6
5
V
CC  
HOLD  
SCK  
SI  
CS  
SO  
VSS  
WP  
VSS  
WP  
* 25XX640A is used in this document as a generic part number  
for the 25AA640A, 25LC640A devices.  
© 2008 Microchip Technology Inc.  
DS21830D-page 1  
1234567...30

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25AA640A-I/ST 替代型号

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完全替代

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