生命周期: | Active | 零件包装代码: | DFN |
包装说明: | 2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, PLASTIC, TDFN-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.48 |
Is Samacsys: | N | 最大时钟频率 (fCLK): | 10 MHz |
数据保留时间-最小值: | 200 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 3 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | HVSON |
封装等效代码: | SOLCC8,.11,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
电源: | 2/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.8 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.000001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.005 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | NICKEL PALLADIUM GOLD |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 2 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
25AA640A-I/MS | MICROCHIP |
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64K SPI Bus Serial EEPROM | |
25AA640A-I/P | MICROCHIP |
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64K SPI Bus Serial EEPROM | |
25AA640A-I/SN | MICROCHIP |
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25AA640A-I/ST | MICROCHIP |
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25AA640AT-E/MF | MICROCHIP |
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25AA640AT-E/MNY | MICROCHIP |
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25AA640AT-E/MS | MICROCHIP |
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25AA640AT-E/P | MICROCHIP |
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25AA640AT-E/SN | MICROCHIP |
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25AA640AT-E/ST | MICROCHIP |
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64K SPI Bus Serial EEPROM |