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25AA512T-I/SM

更新时间： 2024-11-27 06:24:59
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
36页 646K
描述
512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM

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25AA512T-I/SM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIJ-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：5.58Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：20 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：5.26 mm
内存密度：524288 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.03 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：5.25 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：1

25AA512T-I/SM 数据手册

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25AA512  
512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM  
Device Selection Table  
Part Number  
VCC Range  
Page Size  
Temp. Ranges  
Packages  
25AA512  
1.8-5.5V  
128 Byte  
I
P, SN, SM, MF  
Features:  
Description:  
• 20 MHz max. Clock Speed  
• Byte and Page-level Write Operations:  
- 128-byte page  
The Microchip Technology Inc. 25AA512 is a 512 Kbit  
serial EEPROM memory with byte-level and page-level  
serial EEPROM functions. It also features Page, Sector  
and Chip erase functions typically associated with  
Flash-based products. These functions are not required  
for byte or page write operations. The memory is  
accessed via a simple Serial Peripheral Interface (SPI)  
compatible serial bus. The bus signals required are a  
clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data out  
(SO) lines. Access to the device is controlled by a Chip  
Select (CS) input.  
- 5 ms max.  
- No page or sector erase required  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Max. Write Current: 5 mA at 5.5V, 20 MHz  
- Read Current: 10 mA at 5.5V, 20 MHz  
- Standby Current: 1A at 2.5V (Deep power-  
down)  
• Electronic Signature for Device ID  
• Self-Timed Erase and Write cycles:  
- Page Erase (5 ms, typical)  
Communication to the device can be paused via the  
hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-  
tions on its inputs will be ignored, with the exception of  
Chip Select, allowing the host to service higher priority  
interrupts.  
- Sector Erase (10 ms/sector, typical)  
- Bulk Erase (10 ms, typical)  
• Sector Write Protection (16K byte/sector):  
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array  
The 25AA512 is available in standard packages includ-  
ing 8-lead PDIP, SOIC, and advanced 8-lead DFN  
package. All packages are Pb-free and RoHS  
compliant.  
• Built-In Write Protection:  
- Power-on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
- Write-protect pin  
• High Reliability:  
Package Types (not to scale)  
- Endurance: 1 Million erase/write cycles  
- Data Retention: >200 years  
- ESD Protection: 4000V  
DFN  
PDIP/SOIC/SOIJ  
(P, SN, SM)  
(MF)  
• Temperature Ranges Supported:  
- Industrial (I): -40°C to +85°C  
• Pb-free and RoHS Compliant  
1
2
3
4
CS  
SO  
8
7
6
5
VCC  
HOLD  
SCK  
SI  
CS  
SO  
WP  
VCC  
1
2
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4
8
7
6
5
HOLD  
SCK  
SI  
WP  
VSS  
Pin Function Table  
VSS  
Name  
Function  
CS  
SO  
Chip Select Input  
Serial Data Output  
WP  
VSS  
SI  
Write-Protect  
Ground  
Serial Data Input  
Serial Clock Input  
SCK  
HOLD  
VCC  
Hold Input  
Supply Voltage  
2010 Microchip Technology Inc.  
DS22021F-page 1  
1234567...36

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25AA512T-I/SM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
25AA512-I/SM MICROCHIP

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 512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM

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