Datasheet > 存储 > EEPROM> 25AA160D-I/P

25AA160D-I/P

更新时间： 2024-11-20 06:24:03

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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30页	484K
描述
16K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA160D-I/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.46	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz	数据保留时间-最小值：	200
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e3	长度：	9.271 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.334 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

25AA160D-I/P 数据手册

25AA160C/D, 25LC160C/D

16K SPI Bus Serial EEPROM

Device Selection Table

Part Number

VCC Range

Page Size

Temp. Ranges

Packages

25LC160C

25AA160C

25LC160D

25AA160D

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

16 Byte

32 Byte

I,E

P, SN, ST, MS, MN

I,E

Description:

Features:

The Microchip Technology Inc. 25AA160C/D,

25LC160C/D (25XX160C/D^*) are 16 Kbit Serial

Electrically Erasable PROMs. The memory is accessed

• Max. Clock 10 MHz

• Low-Power CMOS Technology:

- Max. write current: 5 mA at 5.5V

- Read current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz

- Standby current: 5 uA at 5.5V

• 2048 x 8-bit Organization

via

simple Serial Peripheral Interface (SPI)

compatible serial bus. The bus signals required are a

clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data

out (SO) lines. Access to the device is controlled

through a Chip Select (CS) input.

• 16-Byte Page (‘C’ version devices)

• 32-Byte Page (‘D’ version devices)

Communication to the device can be paused via the

hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-

tions on its inputs will be ignored, with the exception of

Chip Select, allowing the host to service higher priority

interrupts.

• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)

• Block Write Protection:

- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array

• Built-In Write Protection:

The 25XX160C/D is available in standard packages

including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced

packaging including 8-lead MSOP, TSSOP, and 2x3

TDFN. All packages are Pb-free and RoHS compliant.

- Power-on/off data protection circuitry

- Write enable latch

- Write-protect pin

• Sequential Read

Package Types (not to scale)

• High Reliability:

- Endurance: > 1M erase/write cycles

- Data retention: > 200 years

- ESD protection: > 4000V

• Temperature Ranges Supported:

PDIP/SOIC

(P, SN)

TSSOP/MSOP

(ST, MS)

VCC

HOLD

SCK

HOLD

SCK

- Industrial (I):

-40°C to +85°C

- Automotive (E):

-40°C to +125°C

VSS

• Pb-Free and RoHS Compliant

TDFN

(MN)

VCC

HOLD

SCK

VSS

*25XX160C/D is used in this document as a generic part

number for the 25AA160C/D, 25LC160C/D devices.

DS22150A-page 1

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25AA160D-I/P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
25AA160C-I/MS	MICROCHIP	完全替代	16K SPI Bus Serial EEPROM
25AA160C-I/P	MICROCHIP	类似代替	16K SPI Bus Serial EEPROM
25AA160A-I/P	MICROCHIP	类似代替	16K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA160D-I/ST	MICROCHIP	获取价格	16K SPI Bus Serial EEPROM
25AA160DT-E/MNY	MICROCHIP	获取价格	16K SPI Bus Serial EEPROM
25AA160DT-E/MS	MICROCHIP	获取价格	16K SPI Bus Serial EEPROM
25AA160DT-E/P	MICROCHIP	获取价格	16K SPI Bus Serial EEPROM
25AA160DT-E/SN	MICROCHIP	获取价格	16K SPI Bus Serial EEPROM
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25AA160DT-I/MNY	MICROCHIP	获取价格	16K SPI Bus Serial EEPROM
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