Datasheet > 存储 > EEPROM> 25AA160D-I/MNY

25AA160D-I/MNY

更新时间： 2024-11-24 06:24:03

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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30页	484K
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16K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA160D-I/MNY 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, PLASTIC, TDFN-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	29 weeks
风险等级：	5.43	最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	3 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HVSSOP	封装等效代码：	SOLCC8,.11,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.8 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	2 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

25AA160D-I/MNY 数据手册

25AA160C/D, 25LC160C/D

16K SPI Bus Serial EEPROM

Device Selection Table

Part Number

VCC Range

Page Size

Temp. Ranges

Packages

25LC160C

25AA160C

25LC160D

25AA160D

2.5-5.5V

1.8-5.5V

2.5-5.5V

1.8-5.5V

16 Byte

32 Byte

I,E

P, SN, ST, MS, MN

I,E

Description:

Features:

The Microchip Technology Inc. 25AA160C/D,

25LC160C/D (25XX160C/D^*) are 16 Kbit Serial

Electrically Erasable PROMs. The memory is accessed

• Max. Clock 10 MHz

• Low-Power CMOS Technology:

- Max. write current: 5 mA at 5.5V

- Read current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz

- Standby current: 5 uA at 5.5V

• 2048 x 8-bit Organization

via

simple Serial Peripheral Interface (SPI)

compatible serial bus. The bus signals required are a

clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data

out (SO) lines. Access to the device is controlled

through a Chip Select (CS) input.

• 16-Byte Page (‘C’ version devices)

• 32-Byte Page (‘D’ version devices)

Communication to the device can be paused via the

hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-

tions on its inputs will be ignored, with the exception of

Chip Select, allowing the host to service higher priority

interrupts.

• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)

• Block Write Protection:

- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array

• Built-In Write Protection:

The 25XX160C/D is available in standard packages

including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced

packaging including 8-lead MSOP, TSSOP, and 2x3

TDFN. All packages are Pb-free and RoHS compliant.

- Power-on/off data protection circuitry

- Write enable latch

- Write-protect pin

• Sequential Read

Package Types (not to scale)

• High Reliability:

- Endurance: > 1M erase/write cycles

- Data retention: > 200 years

- ESD protection: > 4000V

• Temperature Ranges Supported:

PDIP/SOIC

(P, SN)

TSSOP/MSOP

(ST, MS)

VCC

HOLD

SCK

HOLD

SCK

- Industrial (I):

-40°C to +85°C

- Automotive (E):

-40°C to +125°C

VSS

• Pb-Free and RoHS Compliant

TDFN

(MN)

VCC

HOLD

SCK

VSS

*25XX160C/D is used in this document as a generic part

number for the 25AA160C/D, 25LC160C/D devices.

DS22150A-page 1

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