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25AA160D-E/MS

更新时间： 2024-11-24 06:24:03
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
30页 484K
描述
16K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA160D-E/MS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TSSOP, TSSOP8,.19Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：5.48
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8端子数量：8
字数：2048 words字数代码：2000
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.19
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.005 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.635 mm端子位置：DUAL
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

25AA160D-E/MS 数据手册

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25AA160C/D, 25LC160C/D  
16K SPI Bus Serial EEPROM  
Device Selection Table  
Part Number  
VCC Range  
Page Size  
Temp. Ranges  
Packages  
25LC160C  
25AA160C  
25LC160D  
25AA160D  
2.5-5.5V  
1.8-5.5V  
2.5-5.5V  
1.8-5.5V  
16 Byte  
16 Byte  
32 Byte  
32 Byte  
I,E  
I
P, SN, ST, MS, MN  
P, SN, ST, MS, MN  
P, SN, ST, MS, MN  
P, SN, ST, MS, MN  
I,E  
I
Description:  
Features:  
The Microchip Technology Inc. 25AA160C/D,  
25LC160C/D (25XX160C/D*) are 16 Kbit Serial  
Electrically Erasable PROMs. The memory is accessed  
• Max. Clock 10 MHz  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Max. write current: 5 mA at 5.5V  
- Read current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz  
- Standby current: 5 uA at 5.5V  
• 2048 x 8-bit Organization  
via  
a
simple Serial Peripheral Interface (SPI)  
compatible serial bus. The bus signals required are a  
clock input (SCK) plus separate data in (SI) and data  
out (SO) lines. Access to the device is controlled  
through a Chip Select (CS) input.  
• 16-Byte Page (‘C’ version devices)  
• 32-Byte Page (‘D’ version devices)  
Communication to the device can be paused via the  
hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-  
tions on its inputs will be ignored, with the exception of  
Chip Select, allowing the host to service higher priority  
interrupts.  
• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)  
• Block Write Protection:  
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array  
• Built-In Write Protection:  
The 25XX160C/D is available in standard packages  
including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced  
packaging including 8-lead MSOP, TSSOP, and 2x3  
TDFN. All packages are Pb-free and RoHS compliant.  
- Power-on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
- Write-protect pin  
• Sequential Read  
Package Types (not to scale)  
• High Reliability:  
- Endurance: > 1M erase/write cycles  
- Data retention: > 200 years  
- ESD protection: > 4000V  
• Temperature Ranges Supported:  
PDIP/SOIC  
(P, SN)  
TSSOP/MSOP  
(ST, MS)  
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC  
CS  
SO  
WP  
CS  
SO  
WP  
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
HOLD  
SCK  
SI  
HOLD  
SCK  
SI  
- Industrial (I):  
-40°C to +85°C  
V
SS  
- Automotive (E):  
-40°C to +125°C  
VSS  
• Pb-Free and RoHS Compliant  
TDFN  
(MN)  
1
2
3
4
CS  
SO  
8
7
6
5
VCC  
HOLD  
SCK  
SI  
WP  
VSS  
*25XX160C/D is used in this document as a generic part  
number for the 25AA160C/D, 25LC160C/D devices.  
© 2009 Microchip Technology Inc.  
DS22150A-page 1  
1234567...30

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