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24VL024H

更新时间： 2024-02-12 23:22:15
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
28页 447K
描述
2K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect

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24VL024H 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：4.40 MM, PLASTIC, TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：7 weeks
风险等级：5.39Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010DDDR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.4 mm内存密度：2048 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：256 words
字数代码：256工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-20 °C
组织：256X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：1.5 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

24VL024H 数据手册

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24VL024H  
2K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect  
Device Selection Table  
Description:  
Part Number  
VCC Range  
1.5 to 3.6V  
Max. Clock  
The Microchip Technology Inc. 24VL024H is a 2 Kbit  
Serial Electrically Erasable PROM with operation  
down to 1.5V. The device is organized as a single block  
of 256 x 8-bit memory with a 2-wire serial interface.  
Low-current design permits operation with typical  
standby and active currents of only 1 μA and 400 μA,  
respectively. The device has a page write capability for  
up to 16 bytes of data. Functional address lines allow  
the connection of up to eight 24VL024H devices on the  
same bus for up to 16 Kbits of contiguous EEPROM  
memory. The device is available in the standard 8-pin  
PDIP, 8-pin SOIC (150 mil), TSSOP, 2x3 TDFN and  
MSOP packages.  
24VL024H  
400 kHz(1)  
Note 1: 100 kHz for VCC < 1.8V  
Features:  
• Single-Supply with Operation down to 1.5V  
• Low-Power CMOS Technology:  
- 400 μA active current, maximum  
- 1 μA standby current, maximum  
• 2-Wire Serial Interface Bus, I2C™ Compatible  
• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression  
• Output Slope Control to eliminate Ground Bounce  
• 100 kHz and 400 kHz Compatibility  
Block Diagram  
WP  
A0 A1 A2  
HV Generator  
• Page Write Buffer for up to 16 Bytes  
• Self-Timed Write Cycle (including Auto-Erase)  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
• Hardware Write Protection for Half Array  
(80h-FFh)  
EEPROM  
Array  
XDEC  
• Cascadable up to Eight Devices  
• More than 1 Million Erase/Write Cycles  
• ESD Protection > 4,000V  
SDA  
SCL  
Write-Protect  
Circuitry  
• Data Retention > 200 Years  
VCC  
VSS  
• Factory Programming (QTP) Available  
YDEC  
• 8-pin PDIP, SOIC, TSSOP, TDFN and MSOP  
Packages  
Sense Amp.  
R/W Control  
• Temperature Range:  
- -20°C to +85°C  
• Pb-Free and RoHS compliant  
Package Types  
SOIC, TSSOP  
PDIP, MSOP  
A0  
1
8
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
A0  
A1  
VCC  
WP  
A1  
A2  
2
3
4
7
6
5
WP  
SCL  
SDA  
A2  
SCL  
SDA  
VSS  
VSS  
TDFN  
1
VCC  
WP  
A0  
8
7
6
5
2
3
4
A1  
SCL  
SDA  
A2  
VSS  
© 2008 Microchip Technology Inc.  
DS22109A-page 1  
1234567...28

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