是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.56 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 200 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节: | 1010000R |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 4.9 mm | 内存密度: | 1024 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 128 words |
字数代码: | 128 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128X8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 串行总线类型: | I2C |
最大待机电流: | 0.00003 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | HARDWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
24LCS21TISN | ETC |
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I2C Serial EEPROM | |
24LCS21TSN | ETC |
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I2C Serial EEPROM | |
24LCS22A | MICROCHIP |
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2K VESA㈢ E-EDID⑩ Serial EEPROM | |
24LCS22A_09 | MICROCHIP |
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2K VESA® E-EDID™ Serial EEPROM | |
24LCS22A-I/P | MICROCHIP |
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2K VESA® E-EDID™ Serial EEPROM | |
24LCS22A-I/PG | MICROCHIP |
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256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | |
24LCS22A-I/SN | MICROCHIP |
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2K VESA® E-EDID™ Serial EEPROM | |
24LCS22A-ISNG | MICROCHIP |
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Single Supply with Operation Down to 2.5V | |
24LCS22AT | MICROCHIP |
获取价格 |
2K VESA® E-EDID™ Serial EEPROM | |
24LCS22AT-I/P | MICROCHIP |
获取价格 |
2K VESA® E-EDID™ Serial EEPROM |