是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.27 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 200 |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 9.271 mm | 内存密度: | 1024 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 128 words | 字数代码: | 128 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128X8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | SERIAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.334 mm |
串行总线类型: | I2C | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
24LCS21AI/SN | MICROCHIP |
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暂无描述 | |
24LCS21A-I/SN | MICROCHIP |
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1K 2.5V Dual Mode I2C⑩ Serial EEPROM | |
24LCS21A-I/SNG | MICROCHIP |
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128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 | |
24LCS21AT-/P | MICROCHIP |
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1K 2.5V Dual Mode I2C⑩ Serial EEPROM | |
24LCS21AT/SN | MICROCHIP |
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128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
24LCS21AT-/SN | MICROCHIP |
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1K 2.5V Dual Mode I2C⑩ Serial EEPROM | |
24LCS21AT/SNROC | MICROCHIP |
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128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | |
24LCS21AT-I/P | MICROCHIP |
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1K 2.5V Dual Mode I2C⑩ Serial EEPROM | |
24LCS21ATI/SN | MICROCHIP |
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128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 | |
24LCS21AT-I/SN | MICROCHIP |
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1K 2.5V Dual Mode I2C⑩ Serial EEPROM |