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24LC16B-E/PG

更新时间： 2024-10-28 12:58:27

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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12页	78K
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2K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-001, DIP-8

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24LC16B-E/PG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-001, DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.12
其他特性：	1 MILLION ERASE/WRITE CYCLES	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010MMMR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e3	长度：	9.46 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.32 mm	串行总线类型：	I2C
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.003 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE	Base Number Matches：	1

24LC16B-E/PG 数据手册

24LC16B

16K 2.5V I C Serial EEPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

• Single supply with operation down to 2.5V

• Low power CMOS technology

PDIP

VCC

- 1 mA active current typical

- 10 µA standby current typical at 5.5V

- 5 µA standby current typical at 3.0V

• Organized as 8 blocks of 256 bytes (8 x 256 x 8)

• 2-wire serial interface bus, I²C compatible

• Schmitt trigger inputs for noise suppression

• Output slope control to eliminate ground bounce

• 100 kHz (2.5V) and 400 kHz (5V) compatibility

• Self-timed write cycle (including auto-erase)

• Page-write buffer for up to 16 bytes

• 2 ms typical write cycle time for page-write

• Hardware write protect for entire memory

• Can be operated as a serial ROM

SCL

SDA

VSS

SOIC

VCC

SCL

SDA

VSS

• Factory programming (QTP) available

• ESD protection > 4,000V

14-lead

SOIC

• 10,000,000 erase/write cycles guaranteed

• Data retention > 200 years

• 8-pin DIP, 8-lead or 14-lead SOIC packages

• Available for extended temperature ranges

V^CC

- Commercial (C):

- Industrial (I):

0°C to +70°C

-40°C to +85°C

SCL

SDA

V^SS

DESCRIPTION

The Microchip Technology Inc. 24LC16B is a 16K bit

Electrically Erasable PROM. The device is organized

as eight blocks of 256 x 8 bit memory with a 2-wire

serial interface. Low voltage design permits operation

down to 2.5 volts with standby and active currents of

only 5 µA and 1 mA respectively. The 24LC16B also

has a page-write capability for up to 16 bytes of data.

The 24LC16B is available in the standard 8-pin DIP and

both 8-lead and 14-lead surface mount SOIC pack-

ages.

BLOCK DIAGRAM

HV GENERATOR

I/O

CONTROL

LOGIC

MEMORY

CONTROL

LOGIC

EEPROM

ARRAY

XDEC

PAGE LATCHES

SDA

SCL

YDEC

VCC

VSS

SENSE AMP

R/W CONTROL

I²C is a trademark of Philips Corporation.

1996 Microchip Technology Inc.

DS20070G-page 1

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