Datasheet > 存储 > EEPROM> 24LC08BTE/MS

24LC08BTE/MS

更新时间： 2024-11-21 12:58:27

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
12页	451K
描述
256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

24LC08BTE/MS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MSOP
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.36
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	JESD-30 代码：	S-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
串行总线类型：	I2C	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

24LC08BTE/MS 数据手册

24LC08B/16B MODULES

2 ™

8K/16K I C Serial EEPROMs in ISO Micromodules

FEATURES

ISO MODULE LAYOUT

• ISO 7816 compliant contact locations

• Single supply with operation from 2.5-5.5V

• Low power CMOS technology

VSS

VDD

- 1 mA active current typical

- 10 µA standby current typical at 5.5V

• Organized as 4 or 8 blocks of 256 bytes

(4 x 256 x 8) or (8 x 256 x 8)

• 2-wire serial interface bus, I C compatible

• Schmitt trigger inputs for noise suppression

• Output slope control to eliminate ground bounce

• 100 kHz (2.5V) and 400kHz (5V) compatibility

• Self-timed write cycle (including auto-erase)

• Page-write buffer for up to 16 bytes

• 2 ms typical write cycle time for page-write

• ESD protection > 4,000V

SCL

SDA

• 1,000,000 ERASE/WRITE cycles guaranteed

• Data retention > 200 years

BLOCK DIAGRAM

• Temperature range

HV GENERATOR

- Commercial (C):

0˚C to +70˚C

DESCRIPTION

I/O

CONTROL

LOGIC

MEMORY

CONTROL

LOGIC

EEPROM

ARRAY

XDEC

The Microchip Technology Inc. 24LC08B/16B are 8K

and 16K bit Electrically Erasable PROMs in ISO mod-

ules for smart card applications. The device is orga-

nized as four or eight blocks of 256 x 8-bit memory with

a 2-wire serial interface. The 24LC08B and 24LC16B

also have a page-write capability for up to 16 bytes of

data.

PAGE LATCHES

SDA

SCL

YDEC

VCC

VSS

SENSE AMP

R/W CONTROL

I²C is a trademark of Philips Corporation.

1997 Microchip Technology Inc.

DS21224A-page 1

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与24LC08BTE/MS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
24LC08BT-E/MS	MICROCHIP	获取价格	8K IC SERIAL EEPROM
24LC08BT-E/MSG	MICROCHIP	获取价格	8K IC SERIAL EEPROM
24LC08BTE/OT	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO5, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-23, 5 PIN
24LC08BT-E/OT	MICROCHIP	获取价格	8K IC SERIAL EEPROM
24LC08BT-E/OT16KVAO	MICROCHIP	获取价格	EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO5
24LC08BT-E/OTG	MICROCHIP	获取价格	8K IC SERIAL EEPROM
24LC08BT-E/P	MICROCHIP	获取价格	8K IC SERIAL EEPROM
24LC08BT-E/PG	MICROCHIP	获取价格	8K IC SERIAL EEPROM
24LC08BTE/SN	MICROCHIP	获取价格	256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8
24LC08BT-E/SN	MICROCHIP	获取价格	8K IC SERIAL EEPROM

与24LC08BTE/MS相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

24LC08BTE/MS

24LC08BTE/MS 技术参数

24LC08BTE/MS 数据手册

与24LC08BTE/MS相关器件

与24LC08BTE/MS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

24LC08BTE/MS

24LC08BTE/MS 技术参数

24LC08BTE/MS 数据手册

与24LC08BTE/MS相关器件

与24LC08BTE/MS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？