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24LC08BT-E/MNY

更新时间： 2024-11-18 06:24:23
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
30页 530K
描述
8K I2C™ Serial EEPROM

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24LC08BT-E/MNY 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：1.01
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010XMMRJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e4长度：3 mm
内存密度：8192 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：1024 words字数代码：1000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装等效代码：SOLCC8,.11,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.8 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

24LC08BT-E/MNY 数据手册

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24AA08/24LC08B  
8K I2C™ Serial EEPROM  
Description:  
Device Selection Table  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max. Clock  
Frequency  
Temp.  
Ranges  
The Microchip Technology Inc. 24AA08/24LC08B  
(24XX08*) is a 8 Kbit Electrically Erasable PROM. The  
device is organized as four blocks of 256 x 8-bit  
memory with a 2-wire serial interface. Low-voltage  
design permits operation down to 1.7V, with standby  
and active currents of only 1 μA and 1 mA,  
respectively. The 24XX08 also has a page write  
capability for up to 16 bytes of data. The 24XX08 is  
available in the standard 8-pin PDIP, surface mount  
SOIC, TSSOP, 2x3 DFN, 2x3 TDFN and MSOP  
packages, and is also available in the 5-lead SOT-23  
package. All packages are Pb-free and RoHS  
compliant.  
24AA08  
1.7-5.5  
2.5-5.5  
400 kHz(1)  
400 kHz  
I
24LC08B  
I, E  
Note 1: 100 kHz for VCC <2.5V  
Features:  
• Single Supply with Operation down to 1.7V for  
24AA08 Devices, 2.5V for 24LC08B Devices  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Read current 1 mA, max.  
- Standby current 1 μA, max  
Block Diagram  
• 2-Wire Serial Interface, I2C™ Compatible  
• Schmitt Trigger inputs for Noise Suppression  
• Output Slope Control to eliminate Ground Bounce  
• 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility  
• Page Write Time 3 ms, typical  
• Self-Timed Erase/Write Cycle  
HV  
Generator  
WP  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
• 16-Byte Page Write Buffer  
Page  
• Hardware Write-Protect  
Latches  
I/O  
• ESD Protection >4,000V  
SCL  
YDEC  
• More than 1 Million Erase/Write Cycles  
• Data Retention >200 years  
SDA  
• Factory Programming Available  
Sense Amp.  
R/W Control  
VCC  
VSS  
• Packages include 8-lead PDIP, SOIC, TSSOP,  
DFN, TDFN, MSOP and 5-lead SOT-23  
• Pb-Free and RoHS Compliant  
• Temperature Ranges:  
Package Types  
SOIC, TSSOP  
PDIP, MSOP  
- Industrial (I):  
-40°C to +85°C  
A0  
1
8
VCC  
1
8
7
6
5
- Automotive (E): -40°C to +125°C  
A0  
A1  
VCC  
WP  
2
3
4
A1  
A2  
2
3
7
6
WP  
SCL  
A2  
SCL  
SDA  
VSS  
4
5
SDA VSS  
SOT-23-5  
DFN/TDFN  
1
A0  
VCC  
WP  
8
WP  
Vcc  
1
5
4
SCL  
7
6
5
A1  
2
3
4
SCL  
SDA  
2
3
A2  
Vss  
VSS  
SDA  
*24XX08 is used in this document as a generic part  
number for the 24AA08/24LC08B devices.  
Note:  
Pins A0, A1 and A2 are not used by the 24XX08. (No  
internal connections).  
© 2009 Microchip Technology Inc.  
DS21710J-page 1  
1234567...30

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24LC08BT-E/MNY 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
24LC08BH-E/SN MICROCHIP

完全替代

 8K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-P
24LC08B-E/MC MICROCHIP

完全替代

 8K IC SERIAL EEPROM
24LC08BT-E/MC MICROCHIP

完全替代

 8K IC SERIAL EEPROM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
24LC08BTE/MS MICROCHIP

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