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24LC08B-I/SN

更新时间： 2024-11-17 22:44:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
26页 368K
描述
8K IC SERIAL EEPROM

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24LC08B-I/SN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.46其他特性：100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; CAN BE ORGANIZED AS 4 BLOCKS OF 256 BYTES; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010XMMR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm内存密度：8192 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：1024 words
字数代码：1000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1KX8输出特性：OPEN-DRAIN
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

24LC08B-I/SN 数据手册

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24AA08/24LC08B  
8K I2C™ Serial EEPROM  
Description:  
Device Selection Table  
The Microchip Technology Inc. 24AA08/24LC08B  
(24XX08*) is a 8 Kbit Electrically Erasable PROM. The  
device is organized as four blocks of 256 x 8-bit  
memory with a 2-wire serial interface. Low voltage  
design permits operation down to 1.8V, with standby  
and active currents of only 1 μA and 1 mA,  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max Clock  
Frequency  
Temp  
Ranges  
24AA08  
1.8-5.5  
2.5-5.5  
400 kHz(1)  
400 kHz  
I
24LC08B  
I, E  
Note 1: 100 kHz for VCC <2.5V  
respectively. The 24XX08 also has a page write  
capability for up to 16 bytes of data. The 24XX08 is  
available in the standard 8-pin PDIP, surface mount  
SOIC, TSSOP, 2x3 DFN and MSOP packages, and is  
also available in the 5-lead SOT-23 package.  
Features:  
• Single supply with operation down to 1.8V  
• Low-power CMOS technology:  
- 1 mA active current, typical  
Block Diagram  
- 1 μA standby current, typical (I-temp)  
• Organized as 4 blocks of 256 bytes (4 x 256 x 8)  
• 2-wire serial interface bus, I2C™ compatible  
• Schmitt Trigger inputs for noise suppression  
• Output slope control to eliminate ground bounce  
• 100 kHz (<2.5V) and 400 kHz (≥2.5V) compatibility  
• Self-timed write cycle (including auto-erase)  
• Page write buffer for up to 16 bytes  
• 2 ms typical write cycle time for page write  
• Hardware write-protect for entire memory  
• Can be operated as a serial ROM  
HV  
Generator  
WP  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
Page  
Latches  
I/O  
SCL  
YDEC  
SDA  
• Factory programming (QTP) available  
• ESD protection > 4,000V  
Sense Amp.  
R/W Control  
VCC  
VSS  
• 1,000,000 erase/write cycles  
Package Types  
• Data retention > 200 years  
SOIC, TSSOP  
• 8-lead PDIP, SOIC, TSSOP, DFN and MSOP  
packages  
PDIP, MSOP  
A0  
1
8
VCC  
1
8
7
6
5
A0  
A1  
A2  
VCC  
WP  
• 5-lead SOT-23 package  
2
3
4
A1  
A2  
2
3
4
7
6
5
WP  
• Standard and Pb-free finishes available  
• Available for extended temperature ranges:  
- Industrial (I): -40°C to +85°C  
SCL  
SCL  
SDA  
VSS  
SDA VSS  
- Automotive (E): -40°C to +125°C  
SOT-23-5  
DFN  
1
VCC  
WP  
A0  
8
7
6
5
WP  
Vcc  
1
5
4
SCL  
2
3
4
A1  
SCL  
SDA  
2
3
A2  
VSS  
Vss  
SDA  
Note:  
Pins A0, A1 and A2 are not used by the 24XX08. (No  
internal connections).  
*24XX08 is used in this document as a generic part  
number for the 24AA08/24LC08B devices.  
© 2005 Microchip Technology Inc.  
DS21710D-page 1  
1234567...26

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24LC08B-I/SN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
24LC08BH-I/SN MICROCHIP

完全替代

 8K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-P
24LC08BHT-I/SN MICROCHIP

完全替代

 8K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-P
24LC08BT-I/SN MICROCHIP

完全替代

 8K IC SERIAL EEPROM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
24LC08B-I/SNA21 MICROCHIP

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 		1K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8
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