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Datasheet > 存储 > EEPROM> 24FC515T-I/SM
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24FC515T-I/SM

更新时间： 2024-11-04 06:22:03
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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24页 333K
描述
512K I2C™ CMOS Serial EEPROM

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24FC515T-I/SM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.3针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：5.48Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：1 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：100000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010MDDR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：5.245 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：8字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.03 mm串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.000005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：4.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：5.23 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWAREBase Number Matches：1

24FC515T-I/SM 数据手册

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24AA515/24LC515/24FC515  
512K I2C™ CMOS Serial EEPROM  
Reads may be sequential within address boundaries  
Device Selection Table  
0000h to 7FFFh and 8000h to FFFFh. Functional  
address lines allow up to four devices on the same data  
bus. This allows for up to 2 Mbits total system  
EEPROM memory. This device is available in the  
standard 8-pin plastic DIP and SOIJ packages.  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max. Clock  
Frequency  
Temp.  
Ranges  
24AA515  
24LC515  
24FC515  
1.8-5.5V  
2.5-5.5V  
2.5-5.5V  
400 kHz†  
400 kHz  
1 MHz  
I
I
I
Package Type  
†100 kHz for VCC < 2.5V.  
PDIP  
A0  
1
8
VCC  
Features:  
A1  
A2  
2
3
4
7
6
5
WP  
• Single Supply with Operation Down to 1.7V for  
24AAXX Devices, 2.5V for 24LCXX Devices  
SCL  
SDA  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Active current 500 uA, typical  
- Standby current 100 nA, typical  
• 2-Wire Serial Interface, I2C™ Compatible  
• Cascadable up to Four Devices  
• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression  
• Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce  
• 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility  
• Page Write Time 5 ms max.  
VSS  
SOIJ  
1
2
8
7
A0  
VCC  
A1  
A2  
WP  
3
4
6
5
SCL  
SDA  
VSS  
• Self-Timed Erase/Write Cycle  
• 64-Byte Page Write Buffer  
• Hardware Write Protect  
• ESD Protection >4000V  
Block Diagram  
• More than 1 Million Erase/Write Cycles  
• Data Retention >200 years  
A0A1 WP  
HV Generator  
• Factory Programming Available  
• Packages Include 8-lead PDIP, SOIJ  
• Pb-Free and RoHS Compliant  
• Temperature Ranges:  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
- Industrial (I): -40°C to +85°C  
- Automotive (E):-40°C to +125°C  
Page Latches  
I/O  
SCL  
Description:  
YDEC  
SDA  
The Microchip Technology Inc. 24AA515/24LC515/  
24FC515 (24XX515*) is a 64K x 8 (512K bit) Serial  
Electrically Erasable PROM, capable of operation  
across a broad voltage range (1.7V to 5.5V). It has  
been developed for advanced, low-power applications  
such as personal communications or data acquisition.  
This device has both byte write and page write capabil-  
ity of up to 64 bytes of data. This device is capable of  
both random and sequential reads.  
VCC  
VSS  
Sense AMP  
R/W Control  
*24XX515 is used in this document as a generic part number  
for the 24AA515/24LC515/24FC515 devices.  
© 2008 Microchip Technology Inc.  
DS21673G-page 1  
1234567...24

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24FC515T-I/SM 替代型号

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