Datasheet > 存储 > EEPROM> 24FC1025T-E/P

24FC1025T-E/P

更新时间： 2024-10-30 02:55:59

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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22页	351K
描述
1024K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM

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24FC1025T-E/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, MS-001, DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.48
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e3	长度：	9.46 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.32 mm	串行总线类型：	I2C
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

24FC1025T-E/P 数据手册

24AA1025/24LC1025/24FC1025

1024K I²C^™CMOS Serial EEPROM

This device is capable of both random and sequential

Device Selection Table:

reads. Reads may be sequential within address bound-

aries 0000h to FFFFh and 10000h to 1FFFFh.

Functional address lines allow up to four devices on the

same data bus. This allows for up to 4 Mbits total

system EEPROM memory. This device is available in

the standard 8-pin PDIP and SOIJ packages.

Part

Number

VCC

Range

Max. Clock

Frequency

Temp

Ranges

24AA1025

24LC1025

24FC1025

1.7-5.5V

2.5-5.5V

400 kHz^†

400 kHz*

1 MHz

I, E

^†100 kHz for VCC < 2.5V.

*100 kHz for VCC < 4.5V, E-temp.

Package Type

PDIP

VCC

Features:

• Single supply with operation down to 1.7V for

24AAXX devices, 2.5V for 24LCXX devices

SCL

SDA

• Low-power CMOS technology:

- Read current 1 mA, typical

VSS

- Standby current 100 nA, typical

• 2-wire serial interface, I²C™ compatible

• Cascadable up to four devices

• Schmitt Trigger inputs for noise suppression

• Output slope control to eliminate ground bounce

• 100 kHz and 400 kHz clock compatibility

• 1 MHz clock for FC versions

SOIJ

VCC

SCL

SDA

VSS

• Page write time 3 ms, typical

• Self-timed erase/write cycle

Block Diagram

• 128-byte page write buffer

• Hardware write-protect

A0 A1 WP

HV Generator

• ESD protection >400V

• More than 1 million erase/write cycles

• Data retention >200 years

I/O

Control

Logic

Memory

Control

Logic

EEPROM

Array

XDEC

• Factory programming available

• Packages include 8-lead PDIP, SOIJ

• Pb-free and RoHS compliant

• Temperature ranges:

Page Latches

I/O

SCL

YDEC

- Industrial (I): -40°C to +85°C

- Automotive (E):-40°C to +125°C

SDA

VCC

VSS

Description:

Sense AMP

R/W Control

The Microchip Technology Inc. 24AA1025/24LC1025/

24FC1025 (24XX1025*) is a 128K x 8 (1024K bit)

Serial Electrically Erasable PROM, capable of opera-

tion across a broad voltage range (1.8V to 5.5V). It has

been developed for advanced, low-power applications

such as personal communications or data acquisition.

This device has both byte write and page write

capability of up to 128 bytes of data.

*24XX1025 is used in this document as a generic part number

for the 24AA1025/24LC1025/24FC1025 devices.

Preliminary

DS21941E-page 1

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