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24C01C-E/MNY

更新时间： 2024-02-24 12:16:37
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
30页 501K
描述
1K 5.0V I2C™ Serial EEPROM

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24C01C-E/MNY 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.32
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010DDDRJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e4长度：3 mm
内存密度：1024 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：128 words字数代码：128
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装等效代码：SOLCC8,.11,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.8 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.00005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：1.5 msBase Number Matches：1

24C01C-E/MNY 数据手册

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24C01C  
1K 5.0V I2C™ Serial EEPROM  
Features:  
Description:  
• Single Supply with Operation from 4.5V to 5.5V  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Read current 1 mA, max.  
The Microchip Technology Inc. 24C01C is a 1K bit  
Serial Electrically Erasable PROM with a voltage range  
of 4.5V to 5.5V. The device is organized as a single  
block of 128 x 8-bit memory with a 2-wire serial  
interface. Low-current design permits operation with  
max. standby and active currents of only 5 μA and 1  
mA, respectively. The device has a page write capabil-  
ity for up to 16 bytes of data and has fast write cycle  
times of only 1 ms for both byte and page writes. Func-  
tional address lines allow the connection of up to eight  
24C01C devices on the same bus for up to 8K bits of  
contiguous EEPROM memory. The device is available  
in the standard 8-pin PDIP, 8-pin SOIC (3.90 mm),  
8-pin 2x3 DFN and TDFN, 8-pin MSOP and TSSOP  
packages.  
- Standby current 5 μA, max.  
• 2-Wire Serial Interface, I2C™ Compatible  
• Cascadable up to Eight Devices  
• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression  
• Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce  
• 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility  
• Page Write Time 1 ms max.  
• Self-Timed Erase/Write Cycle  
• 16-Byte Page Write Buffer  
• ESD Protection >4000V  
• More than 1 Million Erase/Write Cycles  
• Data Retention >200 Years  
Block Diagram  
• Factory Programming Available  
A0 A1 A2  
• Packages include 8-lead PDIP, SOIC, TSSOP,  
DFN, TDFN and MSOP  
HV Generator  
• Pb-Free and RoHS Compliant  
• Temperature Ranges:  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
- Industrial (I):  
-40°C to +85°C  
-40°C to +125°C  
XDEC  
- Automotive (E):  
SDA  
SCL  
VCC  
VSS  
YDEC  
Sense Amp.  
R/W Control  
Package Types  
SOIC, TSSOP  
DFN/TDFN  
PDIP, MSOP  
1
A0  
A1  
A2  
VCC  
Test  
SCL  
SDA  
8
A0  
1
8
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
A0  
A1  
VCC  
7
6
5
2
3
4
A1  
A2  
2
3
4
7
6
5
Test  
SCL  
SDA  
Test  
SCL  
SDA  
VSS  
A2  
VSS  
VSS  
© 2008 Microchip Technology Inc.  
DS21201J-page 1  
1234567...30

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
24C01CE/MS MICROCHIP

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 		128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MSOP-8
24C01C-E/MS MICROCHIP

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 		1K 5.0V I2C ⑩ Serial EEPROM
24C01C-E/MSG MICROCHIP

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 		IC,SERIAL EEPROM,128X8,CMOS,TSSOP,8PIN,PLASTIC
24C01CE/P MICROCHIP

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 		128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8
24C01C-E/P MICROCHIP

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 		1K 5.0V I2C ⑩ Serial EEPROM
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 		128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8
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 		暂无描述
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 		128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8
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 		128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8

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