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24C01A/W

更新时间： 2024-01-24 16:42:21
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
12页 80K
描述
128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, UUC8

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24C01A/W 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：WAFER
包装说明：DIE, WAFER针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.38
Is Samacsys：N其他特性：2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010XXXR
JESD-30 代码：R-XUUC-N5JESD-609代码：e3
内存密度：1024 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：5字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128X8输出特性：OPEN-DRAIN
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装等效代码：WAFER封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified串行总线类型：I2C
最大待机电流：0.0001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

24C01A/W 数据手册

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24C01A/02A/04A  
2
1K/2K/4K 5.0V I C Serial EEPROMs  
FEATURES  
PACKAGE TYPES  
• Low power CMOS technology  
• Hardware write protect  
• Two wire serial interface bus, I2C compatible  
DIP  
A0  
A1  
1
2
8
7
VCC  
WP*  
• 5.0V only operation  
• Self-timed write cycle (including auto-erase)  
• Page-write buffer  
A2  
3
4
6
5
SCL  
SDA  
VSS  
• 1ms write cycle time for single byte  
• 1,000,000 Erase/Write cycles guaranteed  
• Data retention >200 years  
8-lead  
SOIC  
1
8
• 8-pin DIP/SOIC packages  
A0  
A1  
VCC  
• Available for extended temperature ranges  
2
3
4
7
6
5
WP*  
SCL  
SDA  
- Commercial (C):  
- Industrial (I):  
- Automotive (E):  
0˚C to +70˚C  
-40˚C to +85˚C  
-40˚C to +125˚C  
A2  
DESCRIPTION  
VSS  
The Microchip Technology Inc. 24C01A/02A/04A is a  
1K/2K/4K bit Electrically Erasable PROM. The device  
is organized as shown, with a standard two wire serial  
interface. Advanced CMOS technology allows a signif-  
icant reduction in power over NMOS serial devices. A  
special feature in the 24C02A and 24C04A provides  
hardware write protection for the upper half of the block.  
The 24C01A and 24C02A have a page write capability  
of two bytes and the 24C04A has a page length of eight  
bytes. Up to eight 24C01A or 24C02A devices and up  
to four 24C04A devices may be connected to the same  
two wire bus.  
14-lead  
SOIC  
14  
1
NC  
NC  
A0  
13  
12  
11  
2
3
4
5
6
7
VCC  
WP  
NC  
A1  
NC  
10  
9
SCL  
SDA  
NC  
A2  
VSS  
NC  
8
* “TEST” pin in 24C01A  
This device offers fast (1ms) byte write and  
extended (-40°C to 125°C) temperature operation. It  
is recommended that all other applications use  
Microchip’s 24LCXXB.  
BLOCK DIAGRAM  
Data  
Buffer  
(FIFO)  
24C01A  
24C02A  
24C04A  
Vcc  
Vpp  
R/W Amp  
Vss  
Organization  
Write Protect  
128 x 8  
None  
258 x 8  
080-0FF  
2 Bytes  
2 x 256 x 8  
100-1FF  
8 Bytes  
Data Reg.  
A P  
d o  
Page Write  
Buffer  
2 Bytes  
Memory  
Array  
d
r
i
n
t
SDA  
Slave Addr.  
A0 to  
A7  
e
s e  
s
r
Control  
Logic  
Increment  
SCL  
A8  
A0 A1 A2 WP  
I2C is a trademark of Philips Corporation.  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11183D-page 1  
This document was created with FrameMaker 4 0 4  
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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