Datasheet > 存储 > EEPROM> 24AA515-I/SM

24AA515-I/SM

更新时间： 2024-09-25 06:22:03

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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24页	333K
描述
512K I2C™ CMOS Serial EEPROM

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24AA515-I/SM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.3	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：	1010MDDR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	5.245 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.03 mm
串行总线类型：	I2C	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	5.23 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	写保护：	HARDWARE
Base Number Matches：	1

24AA515-I/SM 数据手册

24AA515/24LC515/24FC515

512K I²C^™CMOS Serial EEPROM

Reads may be sequential within address boundaries

Device Selection Table

0000h to 7FFFh and 8000h to FFFFh. Functional

address lines allow up to four devices on the same data

bus. This allows for up to 2 Mbits total system

EEPROM memory. This device is available in the

standard 8-pin plastic DIP and SOIJ packages.

Part

Number

VCC

Range

Max. Clock

Frequency

Temp.

Ranges

24AA515

24LC515

24FC515

1.8-5.5V

2.5-5.5V

400 kHz^†

400 kHz

1 MHz

Package Type

^†100 kHz for VCC < 2.5V.

PDIP

VCC

Features:

• Single Supply with Operation Down to 1.7V for

24AAXX Devices, 2.5V for 24LCXX Devices

SCL

SDA

• Low-Power CMOS Technology:

- Active current 500 uA, typical

- Standby current 100 nA, typical

• 2-Wire Serial Interface, I²C™ Compatible

• Cascadable up to Four Devices

• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression

• Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce

• 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility

• Page Write Time 5 ms max.

VSS

SOIJ

VCC

SCL

SDA

VSS

• Self-Timed Erase/Write Cycle

• 64-Byte Page Write Buffer

• Hardware Write Protect

• ESD Protection >4000V

Block Diagram

• More than 1 Million Erase/Write Cycles

• Data Retention >200 years

A0A1 WP

HV Generator

• Factory Programming Available

• Packages Include 8-lead PDIP, SOIJ

• Pb-Free and RoHS Compliant

• Temperature Ranges:

I/O

Control

Logic

Memory

Control

Logic

EEPROM

Array

XDEC

- Industrial (I): -40°C to +85°C

- Automotive (E):-40°C to +125°C

Page Latches

I/O

SCL

Description:

YDEC

SDA

The Microchip Technology Inc. 24AA515/24LC515/

24FC515 (24XX515*) is a 64K x 8 (512K bit) Serial

Electrically Erasable PROM, capable of operation

across a broad voltage range (1.7V to 5.5V). It has

been developed for advanced, low-power applications

such as personal communications or data acquisition.

This device has both byte write and page write capabil-

ity of up to 64 bytes of data. This device is capable of

both random and sequential reads.

VCC

VSS

Sense AMP

R/W Control

*24XX515 is used in this document as a generic part number

for the 24AA515/24LC515/24FC515 devices.

DS21673G-page 1

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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24AA515T-I/SM	MICROCHIP	获取价格	512K I2C™ CMOS Serial EEPROM
24AA515T-I/SMG	MICROCHIP	获取价格	IC,SERIAL EEPROM,64KX8,CMOS,SOP,8PIN,PLASTIC
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