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Datasheet > 存储 > EEPROM> 24AA1025T-E/P
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24AA1025T-E/P

更新时间： 2024-11-18 04:25:19
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美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
22页 351K
描述
1024K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM

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24AA1025T-E/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, MS-001, DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.48
最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHzJESD-30 代码：R-PDIP-T8
JESD-609代码：e3长度：9.46 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.32 mm串行总线类型：I2C
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

24AA1025T-E/P 数据手册

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24AA1025/24LC1025/24FC1025  
1024K I2C™ CMOS Serial EEPROM  
This device is capable of both random and sequential  
Device Selection Table:  
reads. Reads may be sequential within address bound-  
aries 0000h to FFFFh and 10000h to 1FFFFh.  
Functional address lines allow up to four devices on the  
same data bus. This allows for up to 4 Mbits total  
system EEPROM memory. This device is available in  
the standard 8-pin PDIP and SOIJ packages.  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max. Clock  
Frequency  
Temp  
Ranges  
24AA1025  
24LC1025  
24FC1025  
1.7-5.5V  
2.5-5.5V  
2.5-5.5V  
400 kHz†  
400 kHz*  
1 MHz  
I
I, E  
I
†100 kHz for VCC < 2.5V.  
*100 kHz for VCC < 4.5V, E-temp.  
Package Type  
PDIP  
A0  
1
8
VCC  
Features:  
A1  
A2  
2
3
4
7
6
5
WP  
• Single supply with operation down to 1.7V for  
24AAXX devices, 2.5V for 24LCXX devices  
SCL  
SDA  
• Low-power CMOS technology:  
- Read current 1 mA, typical  
VSS  
- Standby current 100 nA, typical  
• 2-wire serial interface, I2C™ compatible  
• Cascadable up to four devices  
• Schmitt Trigger inputs for noise suppression  
• Output slope control to eliminate ground bounce  
• 100 kHz and 400 kHz clock compatibility  
• 1 MHz clock for FC versions  
SOIJ  
1
2
8
7
A0  
VCC  
A1  
A2  
WP  
3
4
6
5
SCL  
SDA  
VSS  
• Page write time 3 ms, typical  
• Self-timed erase/write cycle  
Block Diagram  
• 128-byte page write buffer  
• Hardware write-protect  
A0 A1 WP  
HV Generator  
• ESD protection >400V  
• More than 1 million erase/write cycles  
• Data retention >200 years  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
• Factory programming available  
• Packages include 8-lead PDIP, SOIJ  
• Pb-free and RoHS compliant  
• Temperature ranges:  
Page Latches  
I/O  
SCL  
YDEC  
- Industrial (I): -40°C to +85°C  
- Automotive (E):-40°C to +125°C  
SDA  
VCC  
VSS  
Description:  
Sense AMP  
R/W Control  
The Microchip Technology Inc. 24AA1025/24LC1025/  
24FC1025 (24XX1025*) is a 128K x 8 (1024K bit)  
Serial Electrically Erasable PROM, capable of opera-  
tion across a broad voltage range (1.8V to 5.5V). It has  
been developed for advanced, low-power applications  
such as personal communications or data acquisition.  
This device has both byte write and page write  
capability of up to 128 bytes of data.  
*24XX1025 is used in this document as a generic part number  
for the 24AA1025/24LC1025/24FC1025 devices.  
© 2007 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS21941E-page 1  
1234567...22

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