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Datasheet > 存储 > EEPROM> 24AA1025-I/P
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24AA1025-I/P

更新时间： 2024-11-18 04:25:19
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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22页 351K
描述
1024K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM

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24AA1025-I/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.29其他特性：200 YEARS DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesI2C控制字节：1010MDDR
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
长度：9.271 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.334 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE宽度：7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

24AA1025-I/P 数据手册

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24AA1025/24LC1025/24FC1025  
1024K I2C™ CMOS Serial EEPROM  
This device is capable of both random and sequential  
Device Selection Table:  
reads. Reads may be sequential within address bound-  
aries 0000h to FFFFh and 10000h to 1FFFFh.  
Functional address lines allow up to four devices on the  
same data bus. This allows for up to 4 Mbits total  
system EEPROM memory. This device is available in  
the standard 8-pin PDIP and SOIJ packages.  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max. Clock  
Frequency  
Temp  
Ranges  
24AA1025  
24LC1025  
24FC1025  
1.7-5.5V  
2.5-5.5V  
2.5-5.5V  
400 kHz†  
400 kHz*  
1 MHz  
I
I, E  
I
†100 kHz for VCC < 2.5V.  
*100 kHz for VCC < 4.5V, E-temp.  
Package Type  
PDIP  
A0  
1
8
VCC  
Features:  
A1  
A2  
2
3
4
7
6
5
WP  
• Single supply with operation down to 1.7V for  
24AAXX devices, 2.5V for 24LCXX devices  
SCL  
SDA  
• Low-power CMOS technology:  
- Read current 1 mA, typical  
VSS  
- Standby current 100 nA, typical  
• 2-wire serial interface, I2C™ compatible  
• Cascadable up to four devices  
• Schmitt Trigger inputs for noise suppression  
• Output slope control to eliminate ground bounce  
• 100 kHz and 400 kHz clock compatibility  
• 1 MHz clock for FC versions  
SOIJ  
1
2
8
7
A0  
VCC  
A1  
A2  
WP  
3
4
6
5
SCL  
SDA  
VSS  
• Page write time 3 ms, typical  
• Self-timed erase/write cycle  
Block Diagram  
• 128-byte page write buffer  
• Hardware write-protect  
A0 A1 WP  
HV Generator  
• ESD protection >400V  
• More than 1 million erase/write cycles  
• Data retention >200 years  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
• Factory programming available  
• Packages include 8-lead PDIP, SOIJ  
• Pb-free and RoHS compliant  
• Temperature ranges:  
Page Latches  
I/O  
SCL  
YDEC  
- Industrial (I): -40°C to +85°C  
- Automotive (E):-40°C to +125°C  
SDA  
VCC  
VSS  
Description:  
Sense AMP  
R/W Control  
The Microchip Technology Inc. 24AA1025/24LC1025/  
24FC1025 (24XX1025*) is a 128K x 8 (1024K bit)  
Serial Electrically Erasable PROM, capable of opera-  
tion across a broad voltage range (1.8V to 5.5V). It has  
been developed for advanced, low-power applications  
such as personal communications or data acquisition.  
This device has both byte write and page write  
capability of up to 128 bytes of data.  
*24XX1025 is used in this document as a generic part number  
for the 24AA1025/24LC1025/24FC1025 devices.  
© 2007 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS21941E-page 1  
1234567...22

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24AA1025-I/P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
24AA1025-I/SM MICROCHIP

完全替代

 1024K I2C⑩ CMOS Serial EEPROM
25LC1024-I/P MICROCHIP

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