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24AA02-I/MCG PDF预览

24AA02-I/MCG

更新时间： 2024-11-20 13:01:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
32页 583K
描述
256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MO-229, DFN-8

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24AA02-I/MCG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SON
包装说明：HVSSON, SOLCC8,.11,20针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.28
Is Samacsys：N最大时钟频率 (fCLK)：0.4 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010XXXRJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e3长度：3 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSSON
封装等效代码：SOLCC8,.11,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：2 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

24AA02-I/MCG 数据手册

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24AA02/24LC02B  
2K I2C™ Serial EEPROM  
Description:  
Device Selection Table  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max. Clock  
Frequency  
Temp.  
Ranges  
The Microchip Technology Inc. 24AA02/24LC02B  
(24XX02*) is a 2 Kbit Electrically Erasable PROM. The  
device is organized as one block of 256 x 8-bit memory  
with a 2-wire serial interface. Low-voltage design  
permits operation down to 1.7V, with standby and  
active currents of only 1 μA and 1 mA, respectively.  
The 24XX02 also has a page write capability for up to  
8 bytes of data. The 24XX02 is available in the  
standard 8-pin PDIP, surface mount SOIC, TSSOP, 2x3  
DFN, 2x3 TDFN and MSOP packages and is also avail-  
able in the 5-lead SOT-23 and SC-70 packages.  
24AA02  
1.7-5.5  
2.5-5.5  
400 kHz(1)  
400 kHz  
I
24LC02B  
I, E  
Note 1: 100 kHz for VCC <2.5V.  
Features:  
• Single Supply with Operation down to 1.7V for  
24AA02 Devices, 2.5V for 24LC02B Devices  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Read current 1 mA, max.  
Package Types  
- Standby current 1 μA, max. (I-temp)  
• 2-Wire Serial Interface, I2C™ Compatible  
• Schmitt Trigger inputs for Noise Suppression  
• Output Slope Control to eliminate Ground Bounce  
• 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility  
• Page Write Time 3 ms, typical  
SOIC, TSSOP  
PDIP, MSOP  
A0  
1
8
VCC  
1
2
3
4
8
7
6
5
A0  
A1  
VCC  
WP  
A1  
A2  
2
3
4
7
6
5
WP  
SCL  
A2  
SCL  
SDA  
VSS  
SDA VSS  
• Self-Timed Erase/Write Cycle  
SOT-23/SC-70  
DFN/TDFN  
• 8-Byte Page Write Buffer  
• Hardware Write-Protect  
1
VCC  
WP  
A0  
8
WP  
Vcc  
1
5
4
SCL  
7
6
5
• ESD Protection >4,000V  
2
3
4
A1  
SCL  
SDA  
2
3
A2  
VSS  
Vss  
• More than 1 Million Erase/Write Cycles  
• Data Retention >200 Years  
SDA  
• Factory Programming Available  
• Packages include 8-lead PDIP, SOIC, TSSOP,  
DFN, TDFN, MSOP, 5-lead SOT-23 and SC-70  
Note:  
Pins A0, A1 and A2 are not used by the 24XX02. (No  
internal connections).  
• Pb-free and RoHS Compliant  
• Temperature Ranges:  
Block Diagram  
- Industrial (I): -40°C to +85°C  
- Automotive (E): -40°C to +125°C  
HV  
Generator  
WP  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
Page  
Latches  
I/O  
SCL  
YDEC  
SDA  
VCC  
VSS  
Sense Amp.  
R/W Control  
© 2009 Microchip Technology Inc.  
DS21709J-page 1  
1234567...32

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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