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24AA014HT-I/MNY

更新时间： 2024-09-25 06:23:43

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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28页	458K
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1K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect

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24AA014HT-I/MNY 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, PLASTIC, TDFN-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	1.49	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	0.4 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
JESD-609代码：	e4	长度：	3 mm
内存密度：	1024 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	128 words	字数代码：	128
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVSON
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.8 mm
串行总线类型：	I2C	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	2 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

24AA014HT-I/MNY 数据手册

24AA014H/24LC014H

1K I²C^™Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect

Device Selection Table

Description:

Part

Number

VCC

Range

Max.

Clock

Temp.

Range

The Microchip Technology Inc. 24AA014H/24LC014H

is a 1 Kbit Serial Electrically Erasable PROM with

operation down to 1.7V. The device is organized as a

single block of 128 x 8-bit memory with a 2-wire serial

interface. Low-current design permits operation with

maximum standby and active currents of only 1 μA and

400 μA, respectively. The device has a page write

capability for up to 16 bytes of data. Functional address

lines allow the connection of up to eight 24AA014H/

24LC014H devices on the same bus for up to 8 Kbits of

contiguous EEPROM memory. The device is available

in the standard 8-pin PDIP, 8-pin SOIC (150 mil),

TSSOP, 2x3 TDFN and MSOP packages.

24AA014H 1.7V-5.5V 400 kHz⁽¹⁾

24LC014H 2.5V-5.5V 1 MHz

I, E

Note 1: 100 kHz for VCC < 1.8V

Features:

• Single-Supply with Operation down to 1.7V

• Low-Power CMOS Technology:

- 400 μA active current, maximum

- 1 μA standby current, maximum (I-temp)

• Organized as a Single Block of 128 Bytes

(128 x 8)

Package Types

SOIC, TSSOP

PDIP, MSOP

• 2-Wire Serial Interface Bus, I²C™ Compatible

• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression

• Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce

• 100 kHz and 400 kHz Compatibility

VCC

SCL

SDA

SCL

SDA

VSS

• 1 MHz Compatibility (LC)

VSS

• Page Write Buffer for up to 16 Bytes

TDFN

• Self-Timed Write Cycle (including Auto-Erase)

• Hardware Write Protection for Half Array

(40h-7Fh)

VCC

• Address Lines Allow up to Eight Devices on Bus

• 1 Million Erase/Write Cycles

SCL

SDA

VSS

• ESD Protection > 4,000V

• Data Retention > 200 Years

Block Diagram

• Factory Programming (QTP) Available

• Pb-Free and RoHS Compliant

A0 A1 A2

HV Generator

• 8-pin PDIP, SOIC, TSSOP, TDFN and MSOP

Packages

I/O

Control

Logic

Memory

Control

Logic

• Available for Extended Temperature Ranges:

EEPROM

Array

- Industrial (I):

-40°C to +85°C

-40°C to +125°C

XDEC

- Automotive (E):

SDA

SCL

Write-Protect

Circuitry

VCC

VSS

YDEC

Sense Amp.

R/W Control

Preliminary

DS22077B-page 1

12 3 4 5 6 7...28

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