是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | Factory Lead Time: | 9 weeks |
风险等级: | 1.92 | 最大时钟频率 (fCLK): | 16 MHz |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 4.9 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1, (3 LINE) |
端子数量: | 8 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
最大待机电流: | 5e-7 A | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
23A256T-I/SN | MICROCHIP |
完全替代 |
256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM | |
23A256-I/ST | MICROCHIP |
完全替代 |
256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM | |
23K256-I/SN | MICROCHIP |
类似代替 |
256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
23A256-I/SN/ST | MICROCHIP |
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256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM | |
23A256-I/ST | MICROCHIP |
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256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM | |
23A256-IP-I/P | MICROCHIP |
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32K X 8 STANDARD SRAM, PDIP8, 0.300 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | |
23A256T-E/P | MICROCHIP |
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256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM | |
23A256T-E/SN | MICROCHIP |
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256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM | |
23A256T-E/SN/ST | MICROCHIP |
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23A256T-E/ST | MICROCHIP |
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256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM | |
23A256T-I/P | MICROCHIP |
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23A256T-I/SN | MICROCHIP |
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23A256T-I/SN/ST | MICROCHIP |
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