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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 22RIA80MS90
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22RIA80MS90

更新时间： 2024-11-23 05:56:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅极触发装置可控硅整流器
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8页 152K
描述
Medium Power Thyristors (Stud Version), 22 A

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22RIA80MS90 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-48
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.11Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY标称电路换相断开时间：110 µs
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：60 mA
最大直流栅极触发电压：2 V最大维持电流：130 mA
JEDEC-95代码：TO-208AAJESD-30 代码：O-MUPM-D2
最大漏电流：10 mA通态非重复峰值电流：420 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：22000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：35 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

22RIA80MS90 数据手册

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22RIA Series  
Vishay High Power Products  
Medium Power Thyristors  
(Stud Version), 22 A  
FEATURES  
• Improved glass passivation for high reliability  
and exceptional stability at high temperature  
• High dI/dt and dV/dt capabilities  
• Standard package  
RoHS  
COMPLIANT  
• Low thermal resistance  
• Metric threads version available  
• Types up to 1200 V VDRM/VRRM  
• RoHS compliant  
TO-208AA (TO-48)  
• Designed and qualified for industrial and consumer level  
TYPICAL APPLICATIONS  
• Medium power switching  
PRODUCT SUMMARY  
IT(AV)  
22 A  
• Phase control applications  
• Can be supplied to meet stringent military, aerospace and  
other high reliability requirements  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
22  
85  
A
°C  
A
IT(AV)  
TC  
IT(RMS)  
35  
50 Hz  
60 Hz  
50 Hz  
60 Hz  
400  
ITSM  
A
420  
793  
I2t  
A2s  
724  
V
DRM/VRRM  
100 to 1200  
110  
V
tq  
Typical  
µs  
°C  
TJ  
- 65 to 125  
Document Number: 93700  
Revision: 19-Sep-08  
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
www.vishay.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
22RIA80MS90PBF INFINEON

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22RIA80PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA,
22RIA80PBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA,
22RIA80S90 INFINEON

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 		MEDIUM POWER THYRISTORS
22RIA80S90 VISHAY

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 		Medium Power Thyristors (Stud Version), 22 A
22RIA80S90PBF INFINEON

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22RIA90 NJSEMI

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 		Maximum Fusing Condition
22R-JAVK-GSAN-TF JST

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 		0.4mm间距，SMT，低背型平行连接。
22R-JED JST

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 		*双排结构*高压, 双电子束, 叉式接触*箱型塑壳

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