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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.74 |
| 击穿电压标称值： | 60.1 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 82.8 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 20000 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 7 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 51 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 20KP51A | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| 20KP51ACOX.120 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KP51ACOX.160 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KP51C | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KP51CA | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon |
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| 20KP51CACOX.120 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KP51CACOX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KP51CACOX.200 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KP51CACOX.250 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 20KP51CCOX.120 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 51V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
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