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200HF120PBVPBF

更新时间： 2024-01-22 17:05:09

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	54K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC,

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200HF120PBVPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-MUPM-H1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.67
其他特性：	HIGH SURGE CAPABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-205AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流：	4610 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	180 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	200 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

200HF120PBVPBF 数据手册

Bulletin I2020 rev. A 07/94

200HF(R) SERIES

STANDARD RECOVERY DIODES

Stud Version

Features

200 A

High current carrying capability

High surge current capability

Types up to 1200V V_RRM

Stud cathode and stud anode version

Standard JEDEC types

Diffused junction

Typical Applications

Battery chargers

Converters

Power supplies

Machine tool controls

Major Ratings and Characteristics

Parameters

I_F(AV)

200HF(R)

200

Units

@ T_C

125

314

°C

I_F(RMS)

I_FSM

@ 50Hz

@ 60Hz

@ 50Hz

@ 60Hz

4400

4610

I²t

KA²s

case style

DO-205AC (DO-30)

V_RRMrange

400 to 1200

-40 to 180

T_J

°C

www.irf.com

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与200HF120PBVPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
200HF120PSV	INFINEON	STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version	获取价格
200HF120PV	INFINEON	STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version	获取价格
200HF120PV	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC	获取价格
200HF120PVM	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC	获取价格
200HF120PVMPBF	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-205AC,	获取价格
200HF120WV	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 1200V V(RRM), Silicon	获取价格