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1SV276

更新时间： 2024-01-16 05:06:05

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科信 - KEXIN		二极管测试光电二极管
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1页	32K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode

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1SV276 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	10 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	6.25%
最小二极管电容比：	1.8	标称二极管电容：	16 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	10 V	最大反向电流：	0.003 µA
反向测试电压：	10 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SV276 数据手册

SMD Type

Diodes

Silicon Epitaxial Planar Diode

1SV276

SOD-323

Unit: mm

+0.1

1.7

-0.1

+0.05

0.85

-0.05

Features

+0.1

2.6

-0.1

1.0max

High Capacitance Ratio:C1V/C4V = 2.0Typ.)

Low Series Resistance:rs = 0.22 (Typ.)

0.475

0.375

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Value

Unit

Junction Temperature

T^j

125

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

IR = 1

Reverse Current

Capacitance

I^R

VR = 10 V

C^1V

f = 1 MHz;VR = 1 V

f = 1 MHz;VR = 4 V

8.5

C^4V

Capacitance Ratio

Series Resistance

C^1V/C4V

r^s

1.8

2.0

0.22

VR = 1V, f = 470 MHz

0.4

Marking

www.kexin.com.cn

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