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1SV273

更新时间: 2024-09-26 07:23:47
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东芝 - TOSHIBA 二极管变容二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 169K
描述
TOSHIBA VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE

1SV273 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PDSO-G2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.85Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小二极管电容比:1.8
标称二极管电容:16 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带:ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1SV273 数据手册

 浏览型号1SV273的Datasheet PDF文件第2页 

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