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1SV272

更新时间： 2024-09-25 22:37:47

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三洋 - SANYO		二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	72K
描述
Transmitting, Receiving Antenna-switch Use PIN Diode

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1SV272 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	应用：	SWITCHING
最小击穿电压：	50 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容：	1 pF	标称二极管电容：	0.6 pF
二极管元件材料：	SILICON	最大二极管正向电阻：	0.7 Ω
二极管类型：	PIN DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	PIN Diodes
表面贴装：	YES	技术：	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

1SV272 数据手册

Ordering number :EN4924

1SV272

Silicon Epitaxial Type

Transmitting, Receiving

Antenna-switch Use PIN Diode

Features

Package Dimensions

unit:mm

· Series connection of 2 elements in a Very small-

sized package facilitates high-density mounting

and permits 1SV272-applied equipment to be

made smaller.

1148A

[1SV272]

· Small interterminal capacitance (C=0.6pF typ).

· Small forward series resistance (rs=0.5Ω typ).

1:Anode

2:No Contact

3:Cathode

SANYO:CP

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Reverse Voltage

Forward Current

100

150

125

Allowable Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

˚C

Tstg

–55 to +125

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

max

Reverse Voltage

Reverse Current

Forward Voltage

=10µA

=45V

µA

0.5

I =100mA

0.87

1.0

0.7

Interterminal Capacitance

Series Resistance

=40V, f=1MHz

0.6

0.5

Ω

I =50mA, f=470MHz

· Marking:MV

Electrical Connection

1:Anode

2:No Contact

3:Cathode

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

52098HA (KT)/93094 MO (KOTO) BX1504 No.4924-1/3

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1SV273	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE
1SV274	TOSHIBA	获取价格	DIODE 35.5 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
1SV276	TOSHIBA	获取价格	VARIABLE CAPACITANCE DIODE (VCO FOR UHF BAND RADIO)
1SV276	KEXIN	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Diode
1SV276	TYSEMI	获取价格	High Capacitance Ratio:C1V/C4V = 2.0Typ.) Low Series Resistance:rs = 0.22 (Typ.)
1SV276(TPH3)	TOSHIBA	获取价格	VARACTOR DIODE,SINGLE,SO
1SV276_07	TOSHIBA	获取价格	VCO for UHF Band Radio
1SV276TPH3F	TOSHIBA	获取价格	VCO for UHF Band Radio
1SV277	TOSHIBA	获取价格	VARIABLE CAPACITANCE DIODE (VCO FOR UH BAND RADIO)
1SV277	TYSEMI	获取价格	High Capacitance Ratio:C1V/C4V = 2.30Typ.) Low Series Resistance:rs = 0.42 (Typ.)