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1SV269

更新时间： 2024-01-16 05:32:56

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科信 - KEXIN		二极管测试光电二极管
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1页	34K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode

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1SV269 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	2% MATCHED GROUP AVAILABLE, SMALL TRACKING ERROR
最小击穿电压：	34 V	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	7.94%	最小二极管电容比：	11
标称二极管电容：	31.5 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	36 V	最大反向电流：	0.01 µA
反向测试电压：	32 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SV269 数据手册

SMD Type

Diodes

Silicon Epitaxial Planar Diode

1SV269

SOD-323

Unit: mm

+0.1

1.7

-0.1

+0.05

0.85

-0.05

Features

+0.1

2.6

-0.1

High Capacitance Ratio:C2V/C25V = 11.5(Typ.)

Low Series Resistance:rs = 0.55 (Typ.)

1.0max

0.475

0.375

Excellent C-V Characteristics,and Small Tracking Error.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

Junction Temperature

Storage Temperature Range

V^RM

T^j

36(RL = 10 K

125

)

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

IR = 1

Reverse Current

Capacitance

VR = 32 V

C2V

f = 1 MHz;VR = 2 V

f = 1 MHz;VR = 25 V

2.5

31.5

2.75

11.5

1.05

0.55

C^25V

2.9

C^2V/C25V

C^25V/C28V

r^s

Capacitance Ratio

1.03

Series Resistance

Note :

VR = 5V, f = 470 MHz

0.7

Available in matched group for capacitance to 2.0%.

C(Max.)-C(Min.)

0.020

C(Min.)

(V^R=2~25V)

Marking

www.kexin.com.cn

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