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1SV262

更新时间： 2024-02-17 21:21:08

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描述
High Capacitance Ratio:C2V/C25V = 8(Typ.) Low Series Resistance:rs = 0.6 (Typ.)

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1SV262 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOD
包装说明：	1-1E1A, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
其他特性：	2% MATCHED GROUP AVAILABLE, SMALL TRACKING ERROR	最小击穿电压：	34 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	7.04%
最小二极管电容比：	12	标称二极管电容：	35.5 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	36 V
最大反向电流：	0.01 µA	反向测试电压：	32 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

1SV262 数据手册

Product specification

1SV262

SOD-323

Unit: mm

+0.1

-0.1

+0.05

0.85

-0.05

1.7

Features

High Capacitance Ratio:C2V/C25V = 8(Typ.)

Low Series Resistance:rs = 0.6 (Typ.)

Excellent C-V Characteristics,and Small Tracking Error.

+0.1

-0.1

2.6

1.0max

0.475

0.375

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Value

Unit

Peak Reverse Voltage

Junction Temperature

Storage Temperature Range

V^RM

T^j

36(R^L= 10 K

125

)

T^stg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Reverse Voltage

Symbol

V^R

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I^R= 1

Reverse Current

Capacitance

I^R

V^R= 32 V

C^2V

f = 1 MHz;V^R= 2 V

f = 1 MHz;VR = 25 V

2.6

35.5

2.85

12.5

C25V

3.0

C^2V/C^25V

C^25V/C^28V

r^s

Capacitance Ratio

1.03

Series Resistance

Note :

V^R= 5V, f = 470 MHz

0.6

0.8

Available in matched group for capacitance to 2.0%.

C(Max.)-C(Min.)

0.020

C(Min.)

(V^R=2~25V)

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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