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1SV258

更新时间: 2024-11-19 19:56:23
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东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
DIODE SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode

1SV258 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
配置:SINGLE最小二极管电容比:7.3
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1SV258 数据手册

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