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1SV252TE85L

更新时间： 2024-11-19 15:45:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 衰减器测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 135K
描述
DIODE 50 V, SILICON, PIN DIODE, PIN Diode

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1SV252TE85L 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.73
应用：ATTENUATOR最小击穿电压：50 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS标称二极管电容：0.25 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：PIN DIODE
频带：VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCYJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified反向测试电压：50 V
子类别：PIN Diodes表面贴装：YES
技术：POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SV252TE85L 数据手册

 浏览型号1SV252TE85L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SV252TE85L的Datasheet PDF文件第3页 
1SV252  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Pin Type  
1SV252  
VHF~UHF Band RF Attenuator Applications  
Unit: mm  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
50  
50  
V
R
Forward current  
I
mA  
°C  
°C  
F
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
j
125  
T
stg  
−55~125  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
JEDEC  
JEITA  
―
SC-70  
TOSHIBA  
1-2P1C  
Weight: 0.006 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Reverse voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
I
= 10 μA  
R
50  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0.1  
0.98  
0.4  
10  
V
μA  
V
R
Reverse current  
Forward voltage  
Total capacitance  
Series resistance  
I
V = 50 V  
R
R
V
F
C
T
I
= 50 mA  
F
0.93  
0.2  
3.5  
(Note)  
V
= 50 V, f = 1 MHz  
pF  
Ω
R
r
s
I = 10 mA, f = 100 MHz  
F
Note: C is measured by 3 terminal method with capacitance bridge.  
T
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SV252TE85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SV254 TOSHIBA

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 		DIODE 15 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode
1SV255 TOSHIBA

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1SV257 TOSHIBA

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 		Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type VCO For UHF Ratio
1SV258 TOSHIBA

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1SV262 KEXIN

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1SV262 TYSEMI

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 		High Capacitance Ratio:C2V/C25V = 8(Typ.) Low Series Resistance:rs = 0.6 (Typ.)
1SV262(TPH3) TOSHIBA

获取价格

 		VARACTOR DIODE,SINGLE,2.85PF C(T),UMD2

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