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1SS422(TE85L)

更新时间： 2024-09-26 19:56:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 118K
描述
RECTIFIER DIODES,DOUBLER,SCHOTTKY,35V V(RRM),SOT-416

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1SS422(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.77
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.5 V
最大非重复峰值正向电流：1 A最高工作温度：100 °C
最大输出电流：0.1 A最大重复峰值反向电压：35 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

1SS422(TE85L) 数据手册

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1SS422  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS422  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
Low forward voltage VF = 0.23 V (typ.)@IF = 5 mA  
Small package suitable for mounting on a small space  
•
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
35  
30  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
I
200*  
100*  
1*  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
100*  
125  
mW  
°C  
°C  
°C  
1.ANODE1  
2.CATHODE2  
3.CATHODE1  
ANODE2  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55~125  
−40~100  
stg  
opr  
T
JEDEC  
JEITA  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
TOSHIBA  
1-2S1C  
Weight: 0.0024 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*: This is the absolute maximum rating for a single diode . Where two diodes are used, the absolute maximum rating  
per diode is 75% that for the single diode.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 1 mA  
―
―
―
―
―
0.18  
0.23  
0.38  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
= 5 mA  
= 100 mA  
0.5  
20  
50  
I
I
V
V
= 10 V  
= 30 V  
R
R
Reverse current  
μA  
―
Total capacitance  
(between Cathode and Anode)  
C
T
V
= 0, f = 1 MH  
z
―
15  
―
R
pF  
Marking  
U9  
1
2007-11-01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS422_11 TAK_CHEONG

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 		200mW SOD-523 SURFACE MOUNT High Speed Switching Diode
1SS422_15 WINNERJOIN

获取价格

 		High Speed SWITCHING Diodes
1SS422-T1 WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
1SS422-T1-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
1SS423 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra-High-Speed Switching Applications
1SS423(T5LPAV,F) TOSHIBA

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1SS424(TH3MAA,F) TOSHIBA

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1SS424(TPL3,F) TOSHIBA

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 		RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,30V V(RRM),SOD-523
1SS426 TOSHIBA

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 		Ultra-High Speed Switching Applications

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