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1SS389,L3F

更新时间： 2024-01-26 19:07:07

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东芝 - TOSHIBA		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	205K
描述
DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC

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1SS389,L3F 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.53
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.5 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	1 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	15 V	最大反向电流：	20 µA
反向测试电压：	10 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1SS389,L3F 数据手册

1SS389

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type

1SS389

High Speed Switching Application

Unit: mm

z Small package

z Low forward voltage: V = 0.23V (typ.) @I = 5mA

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Maximum (peak) reverse Voltage

Reverse voltage

Maximum (peak) forward current

Average forward current

Surge current (10ms)

200

100

FSM

P *

Power dissipation

150

°C

Junction temperature

125

Storage temperature range

Operating temperature range

−55 to 125

−40 to 100

stg

opr

JEDEC

JEITA

―

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

TOSHIBA

1-1G1A

Weight: 1.4mg (typ.)

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are

within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm, pad dimension of 4 × 4mm.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Test

Circuit

Characteristic

Symbol

Test Condition

= 1mA

Min

Typ.

Max

Unit

―

0.18

0.23

0.35

―

0.30

0.50

F (1)

F (2)

F (3)

Forward voltage

= 5mA

= 100mA

Reverse current

= 10V

μA

Total capacitance

VR = 0, f = 1MHz

Equivalent Circuit (Top View)

Marking

Start of commercial production

1994-11

2014-03-01

12 3

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与1SS389,L3F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS389,L3F(T	TOSHIBA	Rectifier Diode	获取价格
1SS389_07	TOSHIBA	High Speed Switching Application	获取价格
1SS389_13	MCC	15 Volts Switching Diode	获取价格
1SS389-G	COMCHIP	Small Signal Schottky Diodes	获取价格
1SS389L3F(B	TOSHIBA	Rectifier Diode	获取价格
1SS389-T1	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 10V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2	获取价格