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1SS370

更新时间： 2023-12-06 20:10:55

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
4页	1431K
描述
SOT-323

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1SS370 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.73
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向恢复时间：	0.06 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SS370 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes

1SS370

SWITCHING DIODE

SOT-323

FEATURES

High voltage, high speed switching applications

Low forward voltage

Fast reverse recovery time

Small total capacitance

MAKING: F5

dot = Green molding compound device.

Solid

Maximum Ratings @Ta=25℃

Limit

250

Parameter

Symbol

V_RM

Unit

Peak reverse voltage

200

DC reverse voltage

V_R

300

Peak forward current

I_FM

100

Mean rectifying current

I_O

2.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge current@t=8.3ms

Operation Junction and Storage Temperature Range

I_FSM

T_J,T_stg

℃

-55~+150

Electrical Ratings @Ta=25℃

Symbol Min Typ

V_F

Max Unit

Conditions

Parameter

Forward voltage

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=50V

1.2

0.1

μA

Reverse current

I_R

V_R=200V

3.0

V_R=0, f=1MHZ

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

C_T

V_R=6V,I_F=10mA,Irr=0.1*I_R

t_rr

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.1

12 3 4

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