5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 1SS352TPHR4
1SS352TPHR4 PDF预览

1SS352TPHR4

更新时间： 2024-11-11 16:49:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 202K
描述
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

1SS352TPHR4 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.64
应用：FAST RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：85 V最大反向电流：0.5 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs反向测试电压：80 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS352TPHR4 数据手册

 浏览型号1SS352TPHR4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS352TPHR4的Datasheet PDF文件第3页 
1SS352  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS352  
Ultra High Speed Switching Application  
Unit: mm  
z Small package  
z Low forward voltage  
: V  
= 0.98V (typ.)  
F (3)  
z Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 0.5pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
200  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P
200 (*)  
125  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
JEDEC  
―
―
Storage temperature  
T
−55~125  
stg  
JEITA  
1-1E1A  
TOSHIBA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.004g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
(*) Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,  
pad dimension of 4 × 4mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.62  
0.75  
0.98  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 10mA  
―
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
3.0  
4.0  
I
I
―
V
V
V
= 30V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
―
= 80V  
―
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1MH  
0.5  
1.6  
pF  
ns  
z
Reverse recovery time  
t
―
I = 10mA, Fig.1  
F
rr  
1
2007-11-01  
123

中文翻译

下载PDF

与1SS352TPHR4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS353 TYSEMI

获取价格

 		Small surface mount type Good mountierbility,high surge resistance and reliability.
1SS353 KEXIN

获取价格

 		High- Speed Switching Diode
1SS353 ROHM

获取价格

 		Silicon Epitaxial Planar High-Speed Switching Diodes
1SS354 ROHM

获取价格

 		Silicon Epitaxial Planar High-Speed Switching Diodes
1SS354 TYSEMI

获取价格

 		Small surface mount type Good mountierbility,high surge resistance and reliability.
1SS354 KEXIN

获取价格

 		High- Speed Switching Diode
1SS354TE-17 ROHM

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 55V V(RRM), Silicon
1SS355 TAK_CHEONG

获取价格

 		200mW SOD-323 SURFACE MOUNT Small Outline Flat Lead Plastic Package High Speed Switching D
1SS355 PFS

获取价格

 		FAST SWITCHING DIODES
1SS355 MCC

获取价格

 		90 Volt Switching Diode

与1SS352TPHR4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证