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1SS313TE85R

更新时间: 2024-11-11 20:10:51
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东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 119K
描述
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode

1SS313TE85R 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.74
最小击穿电压:30 V配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
最大二极管电容:1.2 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE最大正向电压 (VF):0.85 V
频带:VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:125 °C最大输出电流:50 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1SS313TE85R 数据手册

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