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1SS309

更新时间： 2024-01-04 00:45:17

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TYSEMI		二极管测试光电二极管
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1页	59K
描述
Low forward voltage: VF (3) = 0.90V (typ.) Small total Capacitance:CT = 0.9pF(typ.)

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1SS309 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-74A
包装说明：	R-PDSO-G5	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	4
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向电流：	0.5 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	反向测试电压：	80 V
子类别：	Signal Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1SS309 数据手册

Product specification

1SS309

Unit: mm

Features

Low forward voltage: V^{F (3)}= 0.90V (typ.)

Fast reverse recovery time:trr = 1.6ns(typ.)

Small total Capacitance:C^T= 0.9pF(typ.)

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Maximum (peak) reverse voltage

Reverse voltage

Symbol

V^RM

V^R

Rating

Unit

300⁽¹⁾

100⁽¹⁾

2⁽¹⁾

Maximum (peak) forward current

Average forward current

Surge current (10 ms)

I^FM

I^O

I^FSM

Power dissipation

200

Junction temperature

T^j

125

Storage temperature range

Note

T^stg

-55 to +125

1.Unit Rating.Total Rating = Unit Rating 1.5

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^F(1)

V^F(2)

V^F(3)

I^R(1)

I^R(2)

C^T

Conditions

I^F= 1 mA

Min

Typ

0.60

0.72

0.92

Max

Unit

Forward voltage

I^F= 10 mA

I^F= 100 mA

V^R= 30 V

1.20

0.1

0.5

3.0

4.0

Reverse current

V^R= 80 V

Total capacitance

V^R=0 V,f=1 MHz

I^F= 10 mA

0.9

1.6

Reverse recovery time

t^rr

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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