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1SS302

更新时间： 2024-01-19 22:24:21

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TYSEMI		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	69K
描述
Low forward voltage:VF(3) = 0.9 V(Typ) Fast reverse recovery time:trr = 1.6 ns (Typ)

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1SS302 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	1.64
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.1 W	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1SS302 数据手册

Product specification

1SS302

Features

Low forward voltage:V^F(3)= 0.9 V(Typ)

Fast reverse recovery time:trr = 1.6 ns (Typ)

Small total capacitance:C^T= 0.9 pF(Typ)

A b s o lu te M a x im u m R a tin g s T a = 2 5

P a ra m e te r

M a xim u m (p e a k ) re ve rs e vo lta g e

R e ve rs e vo lta g e

S ym b o l

R a tin g

8 5

U n it

V ^{R M}

V ^R

IF M

I^O

8 0

M a xim u m (p e a k ) fo rw a rd c u rre n t

A ve ra g e fo rw a rd c u rre n t

S u rg e c u rre n t (1 0 m s )

3 0 0 (*)

1 0 0 (*)

2 (*)

m A

I^{F S M}

P o w e r d is s ip a tio n

1 0 0

m W

J u n c tio n T e m p e ra tu re

T j

1 2 5

S to ra g e T e m p e ra tu re

T ^{st g}

-5 5 to + 1 2 5

(*) U n it ra tin g .T o ta l ra tin g = U n it ra tin g

1 .5

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^F(1)

VF(2)

VF(3)

I^R(1)

I^R(2)

C^t

Test Conditions

I^F= 1 mA

Min

Typ

0.60

0.72

0.90

Max

Unit

Forward voltage

IF = 10 mA

IF = 100 mA

V^R= 30 V

1.2

0.1

0.5

4.0

Reverse current

V^R= 80 V

Total capacitance

V^R= 0, f = 1.0 MHz

I^F= 10 mA

0.9

1.6

Reverse recovery time

t^rr

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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