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1SS226

更新时间: 2024-02-16 22:58:41
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永而佳 - WINNERJOIN 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 88K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE

1SS226 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.25配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.15 W最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

1SS226 数据手册

 浏览型号1SS226的Datasheet PDF文件第2页 
RoHS  
1SS226 SWITCHING DIODE  
SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE  
Features  
SOT-23  
Power dissipation  
3
PD : 150 mW (Tamb=25oC)  
Forward Current  
1
IF : 100 mA  
Reverse Voltage  
2
1.  
VR : 80V  
Operating and storage junction temperature range  
Tj, Tstg : -55oC to +150oC  
2.4  
1.3  
Unit:mm  
Marking:C3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Ta=25oC unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
MIN. MAX. Unit  
Reverse breakdown voltage  
V(BR)  
IR=100 A  
80  
V
Reverse Voltage leakage current  
VR=80V  
I
R
A
0.5  
1.2  
Forward Voltage  
IF=100mA  
V
V
C
F
VR=0V f=1MHz  
Diode Capacitance  
Reverse Recovery Time  
pF  
tot  
3
4
IF=IR=10mA  
Irr=0.1IR  
t
rr  
nS  
WEJ ELECTRONIC CO.,LTD  
Http:// www.wej.cn  
E-mail:wej@yongerjia.com  
WEJ ELECTRONIC CO.  

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